[发明专利]加热电极埋入式MEMS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种加热电极埋入式MEMS器件，包括基底，其特征在于，所述基底上沉积有第一介质膜，所述第一介质膜上设有凹槽，加热电极设于所述凹槽中，所述加热电极上覆盖有带有接触孔的第二介质膜，所述加热电极通过所述接触孔与外接电源相连，所述第二介质膜上设有测试电极，且所述加热电极与测试电极通过第二介质膜完全隔离。

2.如权利要求1所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述加热电极的厚度。

3.如权利要求2所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述第二介质膜设在所述凹槽中，且所述第二介质膜覆盖在所述凹槽上。

4.如权利要求1-3任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述基底与所述第一介质膜之间还设有隔离层，隔离层由绝缘材料制成。

5.如权利要求1-3任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述第一介质膜和第二介质膜由热膨胀系数相同的绝缘材料制成。

6.如权利要求6所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述第一介质膜和第二介质膜均包括SiO₂和/或SiN层。

7.如权利要求1-3任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件，其特征在于，所述基底由Si或SOI制成。

8.根据权利要求1至8中任一项所述的加热电极埋入式MEMS器件还提出其制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤1：制备基底；

步骤2：首先于所述基底上沉积第一介质膜；

步骤3：之后于所述第一介质膜中刻蚀凹槽；

步骤4：其次于所述凹槽中制备加热电极；

步骤5：然后于所述加热电极表面沉积第二介质膜，使之完全覆盖所述加热电极；

步骤6：接着光刻刻蚀第二介质膜，切除边缘多余部分，并使所述第二介质膜上形成接触孔。

步骤7：随后于第二介质膜表面制备测试电极；

步骤8：最后形成背腔，得到加热电极埋入式MEMS器件，即得。

9.如权利要求9所述的加热电极埋入式MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，所述凹槽的深度大于所述加热电极的厚度。

10.如权利要求9所述的加热电极埋入式MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述步骤2中还包括于基底与第一介质膜之间沉积隔离层的步骤。