[发明专利]石墨烯薄膜转移同时图案化的方法在审

专利信息
申请号: 201711347751.0 申请日: 2017-12-15
公开(公告)号: CN109932867A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 张锋;刘海滨;谭化兵 申请(专利权)人: 无锡格菲电子薄膜科技有限公司;无锡第六元素电子薄膜科技有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 代理人: 肖淑芳;郝文博
地址: 214000 江苏省无锡市惠山经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 石墨烯 图案化 支撑膜 目标基 石墨烯薄膜 复合结构 模板处理 石墨烯膜 微纳结构 单层 堆叠 两层 去除 贴合
【权利要求书】:

1.一种石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,包括:

取石墨烯膜,包括支撑膜、及设置在支撑膜表面的单层或两层以上堆叠的石墨烯;

利用微纳结构模板处理所述石墨烯,得到支撑膜/图案化的石墨烯的复合结构;

在支撑膜/图案化的石墨烯的石墨烯一面贴合目标基底,得到支撑膜/图案化的石墨烯/目标基底;和

去除支撑膜,得到图案化的石墨烯/目标基底。

2.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述利用微纳结构模板处理所述石墨烯的方法包括:

在所述石墨烯膜的石墨烯表面设置所述微纳结构模板,形成支撑膜/石墨烯/微纳结构模板的复合材料;

通过对支撑膜/石墨烯/微纳结构模板的复合材料施加物理作用或化学作用使微纳结构模板的凸起与石墨烯的结合力大于该处石墨烯与支撑膜的结合力;和

分离微纳结构模板,得到支撑膜/图案化的石墨烯的复合结构。

3.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述在所述石墨烯膜的石墨烯表面设置所述微纳结构模板的方法采用将所述微纳结构模板在压力下贴合在所述石墨烯膜的石墨烯表面,优选地,所述贴合压力为0.5-10MPa,优选为1-5MPa。

4.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述通过对支撑膜/石墨烯/微纳结构模板的复合材料施加物理作用或化学作用使微纳结构模板的凸起与石墨烯的结合力大于该处石墨烯与支撑膜的结合力的方法采用对支撑膜/石墨烯/微纳结构模板的复合材料施加压力和/或高温处理;

优选地,所述施加压力的压力为1-30MPa,优选5-15MPa;

优选地,所述施加压力采用辊压的方式;

优选地,所述高温处理的温度为50-200℃,优选60-150℃;

优选地,所述高温处理的处理时间为10-60min;

优选地,所述高温处理采用烘烤的方式。

5.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述分离微纳结构模板的方法采用直接剥离微纳结构模板。

6.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述目标基底为平面结构或者曲面结构;和/或,所述目标基底的材料为PDMS、PMMA、玻璃、铝或铁。

7.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述去除支撑膜的方法是对支撑膜/图案化的石墨烯/目标基底进行高温处理后剥离支撑膜;优选地,所述高温处理的温度为50-200℃,优选60-150℃;所述高温处理的时间为20min-30min;优选的,所述高温处理采用烘烤的方式。

8.根据权利要求1-7任一项所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述微纳结构模板的凸起的高度为200nm-20μm,优选1μm-3μm。

9.根据权利要求1-7任一项所述的石墨烯薄膜转移同时图案化的方法,其特征在于,所述微纳结构模板采用硬模板或软模板;优选地,所述微纳结构模板采用金属微纳结构硬模板、PMMA微纳结构软模板、UV胶微纳结构软模板或PDMS微纳结构软模板。

10.一种图案化石墨烯薄膜的制备方法,其特征在于,采用权利要求1-9任一项所述的方法将石墨烯图案化并转移到目标基底上,得到图案化的石墨烯/目标基底结构,再在图案化的石墨烯/目标基底的石墨烯表面设置封装膜。

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