[发明专利]一种氮化钼纳米棒电极材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氮化钼纳米棒电极材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将可溶性钼酸盐、过渡金属盐与电极基底材料在水溶液中加热，制备得到电极表面生长的过渡金属钼酸盐纳米棒，所述可溶性钼酸盐选自(NH₄)₆Mo₇O₂₄、(NH₄)₂MoO₄、Na₂MoO₄中的一种或几种，所述过渡金属盐为M(NO₃)₂中的一种或几种，M代表Fe、Co、Ni、Cu或Zn，过渡金属盐与可溶性钼酸盐的摩尔比为4:1；

(2)将过渡金属钼酸盐纳米棒在NH₃中高温氮化，得到多孔电极表面生长的过渡金属掺杂的氮化钼纳米棒。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述电极基底材料为多孔电极。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述多孔电极选自泡沫金属电极或导电碳布中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述电极基底材料经过预处理再进行反应。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于在水溶液中80-180℃热处理1-12小时；氮化反应条件为450-750℃保持1-10小时。

6.一种氮化钼纳米棒电极材料，其特征在于采用权利要求1-5任一项所述的制备方法制备而成。

7.权利要求6所述氮化钼纳米棒电极材料作为催化电极在电化学反应中的应用。