[发明专利]用于管理在非易失性存储器系统中写入块的系统和方法有效

申请号：	201711346686.X	申请日：	2017-12-15
公开（公告）号：	CN108376120B	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	D.阿加瓦尔;H.戈莱克恰;G.加内什	申请（专利权）人：	桑迪士克科技有限责任公司
主分类号：	G06F12/02	分类号：	G06F12/02;G11C16/34
代理公司：	11105 北京市柳沈律师事务所	代理人：	王珊珊
地址：	美国得***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	写入非易失性存储器健康非易失性存储器系统等级数据结构擦除循环健康状况接收主机数目分配数目限制主机数据控制器折叠的路由跟踪分配管理配置评估
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【说明书】：

公开了一种用于管理在非易失性存储器中的数据写入的系统和方法。所述系统可以包括具有非易失性存储器的SLC和MLC块的非易失性存储器，以及跟踪相对的MLC块健康的MLC块健康等级数据结构。系统中的控制器可以被配置为选择用于接收主机数据的MLC块，并然后通过用于健康块的直接MLC写入路径，或通过用于不健康MLC块的包括SLC写入和SLC‑MLC折叠的两步的间接写入路径路由主机数据。所述方法可以包括基于基于对每个MLC块确定的BER分配健康指定，并且基于确定的BER将直接写入数目分配给健康MLC块，直接写入数目限制了在需要重新评估块健康状况前用于特定MLC块的直接写入的程序/擦除循环的数目。

背景技术

诸如包括NAND快闪存储器的固态驱动器(SSD)的非易失性存储器系统通常用于从消费产品到企业级计算机系统的电子系统中。在耐久性方面，低密度(每单元较少比特)非易失性存储器的性能通常优于高密度非易失性存储器，但是高密度非易失性存储器的空间和成本优势通常导致包括两种类型的存储器的SSD。低密度存储器(如每单元容量为单个比特的单级单元(SLC)存储器)的较大耐久性可以建议初始的主机写入应当被指引到SLC，之后在称作折叠的过程中，从SLC被写入到具有每单元容量为多个比特的多级单元(MLC)存储器。然而，直接将主机数据写入MLC存储器并避免首先将主机数据写入SLC存储器，然后将来自几个SLC块的数据折叠进MLC块的额外写入步骤而具有速度优势。然而，折衷是通过跳过首先写入SLC并然后进行从SLC到MLC的折叠的典型路径，这样写入故障保护较少。在折叠到MLC之前初始写入SLC意味着如果在SLC到MLC的折叠步骤中发生错误，则在SLC中存在正确数据的临时副本。尽管可以使用各种形式的数据保护编码来保护数据免于直接MLC写入情况下的错误，但是由于生成错误校正数据所需的额外处理，可能会有性能成本。

附图说明

图1A是示例性非易失性存储器系统的框图。

图1B是图示示例性的存储模块的框图。

图1C是图示分级存储系统的框图。

图2A是图示非易失性存储器系统的控制器的示例性组件的框图。

图2B是图示非易失性存储器存储系统的非易失性存储器的示例性组件的框图。

图3是示出字线和块的一种可能地布置的非易失性存储器阵列的示例电路图。

图4图示了图1A的非易失性存储器系统的示例物理存储器安排。

图5示出了图4的物理存储器的一部分的放大视图。

图6示出了具有直接的MLC写入路径和间接的包括SLC写入路径和从SLC到MLC的折叠路径的两步写入路径的图2A的非易失性存储器的框图。

图7是图示了管理诸如在图6中示出的非易失性存储器中的不同写入路径上路由的数据的一种实现方式的流程图。

图8是图7的方法的实现方式的流程图。