[发明专利]一种高电压输出隔离模块

说明书

本发明公开了一种高电压输出隔离模块，包括控制芯片U5，所述控制芯片U5的引脚1接电容C22，电容C22接地，控制芯片U5的引脚3接电容C15、电阻R12、电阻R6和电容C24的一端，电容C15的另一端并接到控制芯片U5的引脚4端，电阻R12的另一端接电源输入端，电阻R6的另一端接电阻R9和MOS管Q1的漏级。本高电压输出隔离模块采用降压型拓扑结构，通过PWM直接控制MOS管实现对输出电压的调节，使得可靠性高，电源体积小，性能稳定；输出预制检流电阻，可以通过检测输出电流大小，用光耦调节PWM的信号强度，从而实现输出恒流的功能，可以实现长时间短路保护；模块化设计，使用维修方便，接口丰富，体积小，配置灵活，成本低。

技术领域

本发明涉及电子设备技术领域，尤其是一种高电压输出隔离模块。

背景技术

市场上大部分的开关升压模块体积较大，效率偏低，使用分立元件的开关电源，不能够实现输出恒流，为此需一种高电压输出隔离模块，以降低电源的体积，提高电源的稳定性，实现长时间的短路保护。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高电压输出隔离模块，模块化设计，使用维修方便，接口丰富，体积小，配置灵活，成本低，可实现长时间短路保护的优点，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种高电压输出隔离模块，包括控制芯片U5，所述控制芯片U5的引脚1接电容C22，电容C22接地，控制芯片U5的引脚 3接电容C15、电阻R12、电阻R6和电容C24的一端，电容C15的另一端并接到控制芯片U5的引脚4端，电阻R12的另一端接电源输入端，电阻R6的另一端接电阻R9和MOS 管Q1的漏级，电阻R9串接电阻R8和MOS管Q1的栅极，电阻R8的另一端接控制芯片 U5的引脚6，MOS管Q1的基极接变压器T2的输入端，变压器T2的输出端串接电感L2 连接电源输入端，电容C24的另一端接地；控制芯片U5的引脚7接电容C3和二极管D7 的负极，电容C3的另一端接地，二极管D7的正极接三极管Q2的发射极，三极管Q2的集电极接电源输入端和电阻R21，三极管Q2的基极接稳压二极管D9的负极以及电阻R14 和电阻R15，稳压二极管D9的正极接地，电阻R14和电阻R15并接电阻R21；所述控制芯片U5的引脚7接二极管D2的负极，二极管D2的正极接变压器T2的输入端；控制芯片U5的引脚8接电容C5、电阻R32、电阻R12、电阻R20和二极管D13的负极，电容 C5的另一端接地，电阻R32串接控制芯片U5的引脚1、电容C22和三极管Q3、三极管 Q4、三极管Q5的发射极，三极管Q3、三极管Q4和三极管Q5集电极接地，二极管D13 的正极串接三极管Q3的基极和电容C22，电容C22的另一端串接三极管Q4和三极管Q5 的集电极；三极管Q5的基极接二极管D14的正极，二极管D14负极接电容C12、电容 C21、电容C28、电阻R23、电阻R24和电源输出端，电容C12、电阻R23和电阻R24的另一端串接电感L1以及电容C10接变压器T2的输出端，电感L1串接二极管D11、二极管D5、二极管D4、二极管D4、二极管D6和二极管D12的负极，二极管D12的正极接变压器T2的输出端；电容C21的另一端接变压器T2的输出端。

作为本发明进一步的方案：所述控制芯片U5的型号为UCC28C40。

作为本发明进一步的方案：所述高电压输出隔离模块中的电容均为防浪涌电容，采用大容量瓷介电容器

作为本发明进一步的方案：所述控制芯片U5的振荡电阻选用低温漂、高精度的电阻，电容采用低温漂、高精度的电容，工作温度范围-55℃--150℃。

作为本发明进一步的方案：所述高电压输出隔离模块采用SMT工艺制作，外壳为金属结构，内部实体填充导热胶。

作为本发明进一步的方案：所述二极管D11、二极管D5、二极管D4、二极管D4、二极管D6和二极管D12的信号为肖特基SS2PH10。

与现有技术相比，本发明有益效果：