[发明专利]背侧金属栅格及金属垫简化在审
申请号: | 201711343632.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108257989A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 王沁;陈刚;毛杜立 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体材料 金属栅格 绝缘材料 安置 金属垫 图像传感器 互连件 光电二极管 延伸穿过 申请案 | ||
本申请案涉及一种背侧金属栅格及金属垫简化。图像传感器包含半导体材料,所述半导体材料包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管。所述图像传感器还包含:第一绝缘材料,其安置成靠近所述半导体材料的前侧;以及互连件,其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中。金属垫从所述半导体材料的背侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件。金属栅格安置成靠近所述半导体材料的所述背侧,且所述半导体材料安置在所述金属栅格与靠近所述前侧安置的所述第一绝缘材料之间。
技术领域
本发明大体上涉及半导体制造,且特定来说(但非排他性地),涉及金属栅格制造。
背景技术
图像传感器已变得无处不在。它们广泛应用于数字静态相机、蜂窝电话、安全摄像机,以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术持续以迅猛的速度进步。举例来说,对更高分辨率及更低功耗的需求已促进这些装置的进一步微型化及集成化。
为区分颜色,图像传感器可使用彩色滤光器。彩色滤光器按照波长范围过滤入射在图像传感器上的光,使得图像传感器中的每一光电二极管仅接收特定波长范围内的图像光。由图像传感器捕获的原始数据通过针对各种彩色滤光器而调整的去马赛克算法被转换为全色图像。
尽管制造彩色图像传感器有多种方法,但减少半导体处理应用中的步骤数目总是重要的。由于每一个制造步骤都增加组装线上的成本及时间,因此需要新的技术来提高图像传感器的处理量。
发明内容
本发明的方面涉及一种图像传感器,其包括:半导体材料,其包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管;第一绝缘材料,其安置成靠近所述半导体材料的前侧;互连件,其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中;金属垫,其从所述半导体材料的背侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件,其中所述背侧与所述前侧相对;及金属栅格,其安置成靠近所述半导体材料的所述背侧,其中所述半导体材料安置在所述金属栅格与靠近所述前侧安置的所述第一绝缘材料之间。
在本发明的另一方面中,一种图像传感器制造方法包括:提供半导体材料,所述半导体材料包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管,及安置在所述半导体材料的前侧上的第一绝缘材料,及安置在所述半导体材料的背侧上的第二绝缘材料,其中所述第一绝缘材料包含安置在靠近所述半导体材料的前侧的所述第一绝缘材料中;在所述第一绝缘材料中蚀刻第一沟槽以接触所述互连件;在所述第二绝缘材料中蚀刻第二沟槽以接触所述半导体材料;将第一金属沉积在所述第一沟槽及所述第二沟槽中以形成金属垫;靠近所述背侧沉积第二金属,使得所述半导体材料安置在所述第二金属与所述第一绝缘材料之间;以及去除所述第二金属的一部分以形成靠近所述半导体材料的所述背侧的金属栅格。
附图说明
参考以下诸图描述本发明的非限制性及非穷尽实例,其中相似参考数字贯穿各种视图指代相似部分,除非另有规定。
图1说明根据本发明的教示的部分完整的图像传感器的横截面。
图2A到2D说明根据本发明的教示的图像传感器制造的方法。
图3是说明根据本发明的教示的可包含图1的图像传感器的成像系统的一个实例的框图。
对应参考字符贯穿附图的若干视图指示对应组件。所属领域的技术人员应了解,图式中的元件出于简单及清楚的目的而说明,且未必是按比例绘制。举例来说,图式中一些元件的尺寸相对于其它元件可被夸大以帮助提高对本发明的各种实施例的理解。此外,为了促进对本发明的这些各种实施例的更容易的观察,通常不描绘在商业上可行的实施例中有用的或必需的常见但众所周知的元件。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技股份有限公司,未经豪威科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711343632.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:焦平面阵列探测器及其制备方法
- 下一篇:固态成像器件、成像系统和可移动物体
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的