[发明专利]电极板及其表面处理方法在审
申请号: | 201711340305.7 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108103435A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 邢升阳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C8/36 | 分类号: | C23C8/36;C23C8/02;C23C16/505 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氟化镁薄膜 电极板 镁薄膜 镁铝合金材料 氟离子 化学气相沉积 腐蚀性能 保护层 成膜 电极板表面 化学反应 表面形成 对电极板 化学性能 结构致密 退火工艺 转化 | ||
1.一种电极板的表面处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供电极板(10),所述电极板(10)包括镁铝合金材料层(11);
对所述电极板(10)进行退火处理,使一部分镁元素从镁铝合金材料层(11)中析出,在镁铝合金材料层(11)表面形成一层镁薄膜(12);
步骤2、将所述电极板(10)设于密闭腔室中,在所述密闭腔室中通入含有氟离子的等离子体,所述电极板(10)表面的镁薄膜(12)与氟离子发生化学反应,在所述电极板(10)表面形成氟化镁薄膜(13)。
2.如权利要求1所述的电极板的表面处理方法,其特征在于,所述步骤2中,当所述镁薄膜(12)完全反应时,整个镁薄膜(12)转化为氟化镁薄膜(13)。
3.如权利要求1所述的电极板的表面处理方法,其特征在于,所述步骤1中,对所述电极板(10)进行退火处理的温度为500℃~700℃,保温时间为30分钟至2小时。
4.如权利要求1所述的电极板的表面处理方法,其特征在于,所述镁铝合金材料层(11)中,镁元素的含量为0.2wt%~2wt%;。
5.如权利要求1所述的电极板的表面处理方法,其特征在于,所述步骤1得到的镁薄膜(12)的厚度为5~10μm。
6.如权利要求1所述的电极板的表面处理方法,其特征在于,所述步骤2中,所述含有氟离子的等离子体为含氟气体的等离子体;所述含氟气体包括NF
7.如权利要求6所述的电极板的表面处理方法,其特征在于,所述电极板(10)为PECVD设备中用来产生射频电场的电极板,所述电极板(10)的数量为两个,呈相对设置;
所述步骤2的具体操作为:向PECVD设备中通入含氟气体,对相对设置的两个电极板(10)进行通电,使两个电极板(10)之间产生射频电场,含氟气体在射频电场作用下解离为含有氟离子的等离子体,所述两个电极板(10)表面的镁薄膜(12)与氟离子发生化学反应,在所述电极板(10)表面形成氟化镁薄膜(13)。
8.一种电极板(10),其特征在于,包括表面的氟化镁薄膜(13)以及所述氟化镁薄膜(13)之下的镁铝合金材料层(11)。
9.如权利要求8所述的电极板(10),其特征在于,所述氟化镁薄膜(13)设置于所述镁铝合金材料层(11)表面,所述氟化镁薄膜(13)的厚度为5~10μm。
10.如权利要求8所述的电极板(10),其特征在于,所述镁铝合金材料层(11)与氟化镁薄膜(13)之间还设有镁薄膜(12),所述镁薄膜(12)与氟化镁薄膜(13)的总厚度为5~10μm。
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