[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711338622.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108206141A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 佐藤海晴;畑佐启太;奥村知巳 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半成品 半导体元件 半导体装置 导电性衬垫 上表面 下表面 钎焊 焊料 导电性构件 预备 制造 接合 接合线 熔融 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其中，
所述半导体装置具备：
半导体元件；
第一导电性构件，接合于所述半导体元件的下表面；
第二导电性构件，经由导电性衬垫接合于所述半导体元件的上表面；及
铜制的接合线，接合于所述半导体元件的所述上表面，
所述制造方法包括：
准备第一半成品的工序，在该第一半成品中，所述导电性衬垫的上表面钎焊于所述第二导电性构件，并且在所述导电性衬垫的下表面设置有预备焊料；
准备第二半成品的工序，在该第二半成品中，所述半导体元件的所述下表面钎焊于所述第一导电性构件，并且在所述半导体元件的所述上表面接合有所述接合线；及
使所述第一半成品的预备焊料熔融而将所述第二半成品的所述半导体元件的所述上表面钎焊于所述第一半成品的所述导电性衬垫的所述下表面的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，
在所述导电性衬垫上沿着所述下表面的周缘设置有凹部。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，
准备所述第一半成品的工序包括在所述导电性衬垫位于所述第二导电性构件的铅垂上方的状态下将所述导电性衬垫钎焊于所述第二导电性构件的工序。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，
准备所述第二半成品的工序包括将所述半导体元件的所述下表面钎焊于所述第一导电性构件的工序和将所述接合线接合到钎焊于所述第一导电性构件的所述半导体元件的所述上表面的工序。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，
将所述接合线接合的工序包括对钎焊于所述第一导电性构件的所述半导体元件进行加热的工序和利用超声波接合法将所述接合线接合到加热后的所述半导体元件的所述上表面的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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