[发明专利]全彩硅基OLED微显示器件的真空贴合方法有效
申请号: | 201711337084.8 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108198955B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 任清江;李文连;晋芳铭;王仕伟;赵铮涛 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 34143 合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 王学勇 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市三山区芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色滤光片 硅衬底 微显示器件 真空贴合 预固化 点位 硅基 全彩 照度 涂布封框胶 薄膜封装 对位贴合 填充材料 样品转移 真空腔室 烘干 裂片 贴合 固化 切割 清洗 | ||
本发明公开一种全彩硅基OLED微显示器件的真空贴合方法,包括以下步骤:步骤一,将进行薄膜封装好的含有OLED和CMOS电路的硅衬底、彩色滤光片清洗后,烘干;步骤二、在彩色滤光片上涂布封框胶,在含有OLED和CMOS的硅衬底上涂布填充材料;步骤三、将涂布好的彩色滤光片和硅衬底转移至真空腔室待真空度降至50Pa以下进行对位贴合,并在贴合后的样品上选取若干点位,对所述点位进行UV预固化,UV照度为600mW/cm2以上;步骤四、将预固化后的样品转移至UV照射装置进行UV固化,UV照度设定为600mW/cm2;步骤五、将固化后的样品进行切割呈裂片,得产物。
技术领域
本发明涉及OLED微显示器件的技术领域,尤其涉及全彩硅基OLED微显示器件的真空贴合方法。
背景技术
硅基OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马,它区别于常规的利用非晶硅、微晶硅或者低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件,它是以单晶硅作为有源驱动背板制作的主动式有机发光二极管显示器件,像素尺寸为传统显示器件的1/10,精细度远远高于传统器件,具有高分辨率、高集成度、低功耗、体积小、重量轻等诸多优势。硅基OLED微显示器现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场,并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用,硅基OLED微显示器件将迎来爆发式的增长。
现如今采用精细掩膜(FMM)技术难以满足硅基OLED高精细度像素需求,因此硅基OLED的彩色化方案目前还只能采用白光OLED+彩色滤光片(CF)的技术方案。
采用白光OLED+CF的方案也有两种:一种是在Wafer上制作完成OLED并完成薄膜封装以后直接在上面制作彩色滤光膜;另一种是在Wafer上制作完成OLED并完成薄膜封装,在玻璃上制作彩色滤光膜,然后再用贴合设备将Wafer与有彩色滤光膜的玻璃用贴合设备贴在一起以完成彩色化。相比较而言,第一种制作方法制作工艺相对简单,精度也比较容易控制,但对彩色滤光片材料要求较高,要求其在较低温度下固化,一般要求固化温度小于120°,因为太高的固化温度会对OLED材料造成致命的破坏;第二种采用贴合的方案可以采用现有的比较成熟的彩色滤光片工艺,在玻璃上制作彩色滤光膜,使用230℃的固化温度,但是该方案对贴合设备的精度以及贴合工艺有较高的要求。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提供达到较高的贴合精度、尽可能减少气泡的混入、对水氧阻隔性能较好、能提高光的耦合输出效率、色纯度高、对比度佳的全彩硅基OLED微显示器件的真空贴合方法。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:一种全彩硅基OLED微显示器件的真空贴合方法,包括以下步骤:
步骤一,将进行薄膜封装好的含有OLED和CMOS电路的硅衬底、彩色滤光片清洗后,烘干;
步骤二、在彩色滤光片上涂布封框胶,在含有OLED和CMOS的硅衬底上涂布填充材料;
步骤三、将涂布好的彩色滤光片和硅衬底转移至真空腔室待真空度降至50Pa以下进行对位贴合,并在贴合后的样品上选取若干点位,对所述点位进行UV预固化,UV照度为600mW/cm2以上;
步骤四、将预固化后的样品转移至UV照射装置进行UV固化,UV照度设定为600mW/cm2;
步骤五、将固化后的样品进行切割呈裂片,得产物。
优选地,所述薄膜封装好的含有OLED和CMOS电路的硅衬底的制备方法包括以下步骤:
S1、在CMOS电路硅基底上制作像素阳极;
S2、在相邻像素阳极间隔处制作反射阻挡层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择