[发明专利]快恢复二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201711336668.3 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108010842B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 山东鲁磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 乔浩刚 |
| 地址： | 276000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 制作方法 | ||
1.一种快恢复二极管的制作方法，其包括以下步骤：
提供具有N型外延层的N型衬底；
在所述N型外延层远离所述N型衬底一侧形成器件正面结构；
在所述N型衬底远离所述N型外延层的表面形成铂吸收结构及在所述器件正面结构远离所述N型外延层的表面形成铂材料层；
进行热扩散将所述铂材料层中的铂扩散至器件的内部，去除残留的铂材料层及热扩散形成的氧化物，进行热氧化，在所述器件正面结构远离所述N型外延层的表面形成牺牲氧化层；
将上述具有牺牲氧化层的器件加载正向电场，其中所述牺牲氧化层连接所述正向电场的正电压，所述铂吸收结构连接所述正向电场的负电压；及
去除所述牺牲氧化层及所述铂吸收结构；
所述铂吸收结构包括层叠设置的多晶硅层、氮化硅层及氧化硅层；
所述多晶硅层形成于所述N型衬底远离所述N型外延层的一侧，所述氮化硅层形成于所述多晶硅层远离所述N型衬底的一侧，所述氧化硅层形成于所述氮化硅层远离所述多晶硅层的一侧；
所述多晶硅层的厚度大于20um，所述氮化硅层的厚度大于1um，所述氧化硅的厚度大于1um。
2.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括如下步骤：
在所述器件正面结构远离所述N型外延层的一侧形成第一金属层。
3.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括如下步骤：
在所述N型衬底远离所述N型外延层的一侧形成第二金属层。
4.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述铂材料层的厚度在10nm-100nm的范围之间。
5.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述牺牲氧化层的材料包括氧化硅。
6.如权利要求 1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述正向电场的强度大于1兆电子伏特。
7.如权利要求1所述的快恢复二极管的制作方法，其特征在于：所述去除残留的铂材料层及热扩散形成的氧化物步骤中，采用氢氟酸对所述铂材料层及热扩散形成的氧化物进行清洗；所述去除所述牺牲氧化层及铂吸收结构的步骤中，采用湿法去除所述牺牲氧化层，及采用背面研磨工艺去除所述铂吸收结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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