[发明专利]全彩化OLED微显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种全彩化OLED微显示器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤一、对含CMOS电路的硅基板进行清洗干燥；在硅基板上先涂上反光阻，然后再涂上i-线的正光阻；将硅基板进i-线的曝光机上曝光；将曝光后的硅基板置于显影液中显影，其后清洗干净；将显影后的硅基板脱水；将脱水后的硅基板进行等离子清洗；

步骤二、采用PVD法工艺分别将铬、铝、钼镀于阳极，形成第一阳极像素金属层、第二阳极像素金属层、第三阳极像素金属层；

或者采用Ti/TiN/Al/Ti/TiN的阳极结构形成形成第一阳极像素金属层、第二阳极像素金属层、第三阳极像素金属层；

步骤三、制作发光结构，将步骤二完成得到的基板先放入O₂ plasma腔室清洗后移入多源有机蒸镀系统中，并将蒸发源放入蒸发舟内，抽真空至真空度为4×10^-4以下时，然后在阳极上依次沉积空穴注入层和空穴传输层；沉积空穴注入层，包括1nm 厚度的MoO₃、空穴传输层，包括30~40nm 厚度的NPB；

在空穴传输层上真空蒸镀Alq3 ，依次做为发光层与电子传输层；发光层与电子传输层的总厚度为60nm，或者包括10~30nm厚度参杂Ir（ppy）3的CBP的发光层、25~45nm厚度的TPBi电子传输层；

在电子传输层上蒸镀1nm厚度的LiF形成电子注入层，在电子注入层上蒸镀40nm厚度的Sm做为半透明阴极层；

步骤四、制作光学调节结构，在完成上述步骤制作完发光结构后切换掩膜板制作光学调节层，在所述光学调节层包括第一光学调节层、第二光学调节层、第三光学调节层；所述第一光学调节层、第二光学调节层、第三光学调节层的沉积厚度分别为40~80nm、85~125m、130~150nm厚度的Alq3；

在光学调节层之上制作20~40nm厚度的Ag作为半透明高反射金属镜层；在半透明高反射金属镜层上沉积40nm厚度的Alq3 作为保护层。

2.根据权利要求1所述全彩化OLED微显示器件的制备方法，其特征在于，

所述步骤一中反光阻的厚度为0.1um，正光阻其厚度为1.5um，均匀度≥0.5%；曝光强度为300mj/cm²，显影时间为1~2min，将显影后的硅基板置于100~150℃的环境内脱水，脱水时间为20~30min；将脱水后的硅基板置于进行等离子清洗，清洗温度为100~120℃，清洗时间为1~2min。

3.根据权利要求1所述全彩化OLED微显示器件的制备方法，其特征在于，

所述步骤二中所述阳极像素电极金属层厚度在0.3~2um；所述阳极像素金属层包括第一阳极像素金属层、第二阳极像素金属层、第三阳极像素金属层，分别对应红光、绿光、蓝光中的一种。

4.根据权利要求1所述全彩化OLED微显示器件的制备方法，其特征在于，

阴极Sm的蒸镀速率为1.5~2A/s、有机层的蒸镀速率为0.2~0.8A/s,作为光学调节层和保护层所使用的Alq3的蒸镀速率是0.4~1.0A/s。

5.一种根据权利要求1所述全彩化OLED微显示器件的制备方法制备的全彩化OLED微显示器件，其特征在于，由下至上依次包括含CMOS电路的硅基板、阳极像素电极金属层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、半透明阴极层、光学调节层、半透明高反射金属镜层、保护层。