[发明专利]用于半导体器件的鳍结构

权利要求书

1.一种在衬底上形成第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的方法，所述方法包括：

在所述衬底上分别形成所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构包括半导体材料并且具有彼此相等的相应的第一垂直尺寸和第二垂直尺寸；

在所述衬底上沉积并且平坦化绝缘材料层，其中，所述绝缘材料层的顶面与所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的顶面共面；

在所述绝缘材料层和所述第二鳍结构的顶面上沉积硬掩模层；

修改所述第一鳍结构，使得所述第一鳍结构的修改的第一垂直尺寸小于所述第二鳍结构的所述第二垂直尺寸；

在修改的第一鳍结构和所述第二鳍结构上沉积介电层；

在所述介电层上形成多晶硅结构；以及

在所述多晶硅结构的侧壁上选择性地形成间隔件，

其中，在所述多晶硅结构的侧壁上选择性地形成所述间隔件包括对所述多晶硅结构的侧壁和对所述介电层实施表面处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，修改所述第一鳍结构包括：

图案化沉积的硬掩模层以暴露所述第一鳍结构的顶面；以及

蚀刻所述第一鳍结构的部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，修改所述第一鳍结构包括：

图案化所述硬掩模层以暴露所述第一鳍结构的顶面并且掩蔽所述第二鳍结构的顶面；

蚀刻所述第一鳍结构的部分，从而使得修改的第一鳍结构的顶面低于所述第二鳍结构的顶面；以及

去除图案化的硬掩模层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括形成浅沟槽隔离(STI)区域，其中，形成所述浅沟槽隔离区域包括：

在修改的第一鳍结构上形成绝缘区域，使得所述绝缘区域的顶面、所述第二鳍结构的顶面、所述绝缘材料层的顶面彼此共面；以及

蚀刻所述绝缘材料层，从而使得蚀刻的绝缘材料层的顶面位于所述修改的第一鳍结构和所述第二鳍结构的顶面之下。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述修改的第一垂直尺寸和所述第二垂直尺寸之间的差在从20nm至50nm的范围。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括，在所述多晶硅结构的侧壁上选择性地形成间隔件之后，在所述间隔件的侧壁上方形成蚀刻停止层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述多晶硅结构的侧壁上选择性地形成所述间隔件包括：

在所述介电层上形成抑制层；

将疏水组分结合至所述抑制层；

在所述多晶硅结构的侧壁上沉积间隔件材料；以及

去除所述抑制层和所述疏水组分。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

蚀刻所述介电层的位于所述修改的第一鳍结构和所述第二鳍结构上的部分；以及

在所述修改的第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成外延区域。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括用栅极结构替换所述多晶硅结构。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述修改的第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成外延区域。