[发明专利]纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法在审
| 申请号： | 201711335666.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108109904A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈岩;徐云;韦欣;李健;陈华民;朱海军;宋国峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化 制备 纳米线 半金属 衬底 加热 形貌 固体粉末 距离源 源材料 源物质 米线 内源 输运 出纳 蒸发 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
对源物质进行加热使其在氮气或者氩气的保护气氛下蒸发；
通过载气将上述蒸发出的源物质输运到距离源物质20～30cm远的衬底上，在500～600℃加热20～60min，使所述源物质在所述衬底上成核、结晶从而生长得到所述纳米线状狄拉克半金属砷化镉。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源物质为纯度在99％以上的砷化镉固体粉末。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护气氛为氮气或氩气气氛。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为晶向为(001)的p型硅衬底。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述载气即为保护气体，气流大小为20～100sccm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源物质每次的用量为0.5～1.0g。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在降温过程中保持气体流速不变，而降温速率为每分钟5℃。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的制备方法制备得到的纳米线状狄拉克半金属砷化镉。
9.根据权利要求8所述的纳米线状狄拉克半金属砷化镉，其直径在25～50纳米左右，长度在10～50微米左右。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711335666.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氮化镓表面的硫醇处理方法
- 下一篇：一种具有搅拌功能的半导体清洗反应槽
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
