[发明专利]一种金线莲培育方法

说明书

本发明提出一种金线莲培育方法，将野外金线莲植株整株带土移栽到人工大棚中，在金线莲植株花旗进行人工授粉，待果实成熟进行采摘；获取采摘的果实的种胚，将种胚播种在萌发培养基中进行培养，得到原球茎；将原球茎转入到分化培养基中，并在温度26‑27℃、光照强度1500‑2500Lux条件下，以每天12小时的光照时间进行培养23‑24天，得到芽苗；然后将芽苗转入到增壮培养基中，并在温度26‑27℃、光照强度2000‑3000Lux条件下，以每天12小时的光照时间进行培养30天，得到壮苗；然后在生根培养过程中利用重力逐级增强进行刺激，可显著增强金线莲幼苗的根系发达程度，进而提高移栽的成活率和快速生长概率。

技术领域

本发明涉及植物培育方法领域，具体涉及一种金线莲培育方法。

背景技术

金线莲的培育方法已为公知，如中国发明专利，CN201410383427.4公开一种金线莲的育苗方法，包括：步骤一，选取植株健壮、叶脉分明且已过花期的金线莲，取其地上部分和地下部分之间的2～4cm的一段主茎，将剩余部分捣碎形成金线莲溶液，向金线莲溶液中加入1％～2％吐温-20，之后将所述主茎置于金线莲溶液中，在4℃处理24～72h；步骤二，将步骤一中处理过的所述主茎置于1/3～1/2MS固体培养基上生长10～15天得到生根后的幼苗，培养期间采用全日光照，光照强度为1000～1500Lux，培养温度为24℃～28℃；步骤三，将步骤二得到的幼苗移至1/4～1/3MS液体培养基中培养50～60天，并将步骤一中的金线莲溶液加入到所述1/4～1/3MS液体培养基中，培养时采用长日照光周期照射，明期16h光照，光照强度为2000～2500Lux，温度为28℃，暗期8h，温度为22℃；步骤四，将固体基质装于可降解材料制成的杯状容器中，将步骤三得到的幼苗移栽到所述固体基质中培养20～40天，第1～3天采用与步骤三中相同的条件进行培养，第4天至第20～40天，采用明期16h光照，光照强度为3000～3500Lux，温度为30℃，暗期8h，温度为22℃，其中，所述固体基质包括以下重量份数的组分：土壤10～20份，蛭石15～30份，腐殖质3～6份，香蕉10～20份，芒果1～2份，山竹果皮2～4份和火龙果果皮1～2份；培养过程中空气湿度为80％～95％，所述杯状容器由聚乳酸、聚乙烯醇和聚酯类材料中的任意一种制成；MS培养基配方：

大量元素：

1650mg/L NH₄NO₃，1900mg/L KNO₃，440mg/L CaCl₂·2H₂O，370mg/L MgSO₄·7H₂O和700mg/L KH₂PO₄；

微量元素：

0.83mg/L KI，6.25mg/L H₃BO₃，22.3mg/LMnSO₄·4H₂O，8.65mg/L ZnSO₄·7H₂O，0.25mg/LNa₂MnO₄·2H₂O，0.025mg/L CuSO₄·5H₂O和0.025mg/LCoCl₂·6H₂O

铁盐：

27.8mg/L FeSO₄·7H₂O和7.3mg/L Na₂-EDTA·2H₂O₃