[发明专利]用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构

权利要求书

1.一种用于测试邻近的半导体器件之间的桥接的方法，包括：

在半导体衬底上形成图案化的扩散区域；

在所述扩散区域上方形成第一导电层，其中，将所述第一导电层图案化成与所述图案化的扩散区域相同的图案；

在所述第一导电层上方形成在第一方向上延伸的第二导电层；

图案化所述第二导电层以在所述第二导电层的中心区域中形成在所述第一方向上延伸的开口以暴露所述第一导电层的部分；

去除所述第一导电层的暴露部分以暴露所述扩散区域的部分；

在所述扩散区域的暴露部分上方形成源极/漏极区域；

在所述源极/漏极区域上方形成介电层；

在所述介电层上方形成第三导电层；

去除所述第二导电层的沿着所述第一方向的相对端部以暴露所述第一导电层的相对的第一端部和第二端部；

在所述第一端部和所述第二端部中形成接触件，所述接触件与所述第一导电层直接接触；以及

测量所述第一导电层的所述相对的第一端部和第二端部之间的所述第一导电层两端的电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述扩散区域和所述第一导电层之间形成第一绝缘层，其中，将所述第一绝缘层图案化成与所述图案化的扩散区域相同的图案。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电层用于非易失性存储器的浮置栅极。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一导电层和所述第二导电层之间形成第二绝缘层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化的第二导电层用于非易失性存储器的控制栅极。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在图案化所述第二导电层之前，在所述第二导电层上方形成硬掩模层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述扩散区域上方形成沿着所述第一方向延伸的第四导电层的第一部分和第二部分，其中，所述第四导电层的第一部分和第二部分沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置在所述第二导电层的相对侧的外侧。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第四导电层用于非易失性存储器的选择栅极。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三导电层用于非易失性存储器的擦除栅极。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一导电层的所述相对的第一端部和第二端部上形成接触件。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底是半导体晶圆、多晶硅衬底、锗衬底、IV-IV族化合物半导体衬底或III-V族化合物半导体衬底。

12.一种半导体测试结构，包括：

图案化的扩散区域，位于半导体衬底上；

第一导电层，形成在所述扩散区域上方；

第二导电层，在所述第一导电层上方在第一方向上延伸，其中，所述第二导电层具有在所述第二导电层的中心区域中沿着所述第一方向延伸的开口，并且所述开口穿过所述第一导电层的部分延伸至所述扩散区域，

其中，所述第一导电层沿着所述第一方向延伸超出所述第二导电层的相对端；

接触件，形成在超出所述第二导电层的所述第一导电层的相对端中并与所述第一导电层直接接触；

源极/漏极区域，形成在所述开口中的所述扩散区域上方；以及

介电层，形成在所述源极/漏极区域上方。

13.根据权利要求12所述的半导体测试结构，还包括形成在所述介电层上方的第三导电层。

14.根据权利要求13所述的半导体测试结构，其中，所述第三导电层是非易失性存储器的擦除栅极。