[发明专利]LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线

权利要求书

1.LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，其特征在于：依次连接的上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室、质检腔室和卸片区，所述上片区、进口腔室、进口缓冲腔室、进口传送腔室、溅射腔室、出口传送腔室、出口缓冲腔室、出口腔室和卸片区内均设有依次连接的传动台，所述质检腔室内设有镀膜质检区和质检系统，所述出口腔室内传动台与镀膜质检台相连，所述传动台用于传送镀膜基片，所述镀膜质检台用于检测基片质量，所述溅射腔室包括至少一个镀膜分区，每个镀膜分区设有至少一旋转阴极和/或平面阴极。

2.根据权利要求1所述的LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，其特征在于：所述质检系统包括顺次连接的一扫描透射光谱测量探头、二个扫描反射光谱测量探头和一个面电阻测量探头，所述测量探头均安装于镀膜质检台上方，基片通过镀膜质检台传送至卸片区的过程中，所述测量探头进行工作，测量基片的透射光谱、透射颜色、基片膜面和非镀膜面的反射光谱和反射颜色，测量基片膜层的面电阻值。

3.根据权利要求2所述的LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，其特征在于：所述质检系统还包括服务器，所述服务器与测量探头相连，用于将测量探头采集的数据进行分析和对比。

4.根据权利要求3所述的LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，其特征在于：所述质检系统还包括回收装置，所述服务器与回收装置相连，所述回收装置在收到服务器发送的收取不合格基片的命令时，将锁定的基片回收。

5.根据权利要求1所述的LOW-E玻璃真空磁控溅射镀膜生产线，其特征在于：所述溅射腔室内设有至少一个旋转阴极。

6.根据权利要求5所述的单银LOW-E玻璃镀膜生产线，其特征在于：所述溅射腔室内设有五对旋转阴极，三个平面阴极，镀膜产品膜层为SnO₂/Si₃N₄/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄。

7.根据权利要求5所述的单银LOW-E玻璃镀膜生产线，其特征在于：所述溅射腔室内设有七对旋转阴极，三个平面阴极，镀膜产品膜层为SnO₂/Si₃N₄/NiCr/Ag/NiCr/Si₃N₄。

8.根据权利要求5所述的单银LOW-E玻璃镀膜生产线，其特征在于：所述溅射腔室内设有八对旋转阴极，三个平面阴极，镀膜产品膜层为Si₃N₄/AZO/NiCr/Ag/NiCr/AZO/Si₃N₄。

9.根据权利要求5所述的单银LOW-E玻璃镀膜生产线，其特征在于：所述溅射腔室内设有十二个旋转阴极，三个平面阴极，镀膜产品膜层为SnO₂/SiO₂/TiO₂/NiCr/Ag/NiCr/TiO₂/SiO₂/SnO₂/TiO₂。

10.根据权利要求5所述的单银LOW-E玻璃镀膜生产线，其特征在于：所述溅射腔室内设有十一对旋转阴极，四个平面阴极，镀膜产品膜层为Si₃N₄/SnO₂/AZO/Ag/NiCr/SnO₂/Si₃N₄/AZO/Ag/NiCr/Si₃N₄。