[发明专利]一种LED发光芯片及加工方法

权利要求书

1.一种LED发光芯片，其特征在于，包括：

依次层叠设置的基础层、发光层和电极，所述基础层包括硅衬底，所述发光层包括层叠设置的N型层、MQW层和P型层；

在所述MQW层内部设置有绝缘区，所述绝缘区位于电极的下方。

2.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，

所述MQW层包括层叠设置的MQW势磊层和MQW势井层。

3.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，所述基础层还包括反射镜面，所述反射镜面位于所述硅衬底和发光层之间。

4.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，

所述绝缘区是由所述发光层远离基础层的一侧表面向另一侧表面延伸所形成的，所述绝缘区至少延伸至MQW层。

5.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，

在所述发光层的上表面设置有连接线，所述连接线的一端与电极相接触，另一端与导电区远离基础层的一侧表面相接处；所述导电区是发光层中除绝缘区以外的区域。

6.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，所述绝缘区中填充有绝缘材料，所述绝缘材料包括以下的一种或多种：透明玻璃胶、液晶和透明氮化物；

所述绝缘区呈锥状或圆柱状。

7.根据权利要求1所述的LED发光芯片，其特征在于，绝缘区包括二氧化硅层和液晶填充区，二氧化硅层设置在液晶填充区和导电区之间，以使所述液晶填充区通过二氧化硅层与导电区相接触。

8.一种LED发光芯片的加工方法，其特征在于，包括：

在基础层上生长发光层；基础层包括硅衬底；

对发光层进行挖空处理，挖空处理至少在到MQW层内部形成空洞，MQW层的空洞位于电极位置的下方，发光层包括顺序层叠设置的P型层、MQW层和N型层；

在挖空形成的空洞中填充绝缘材料，以形成绝缘区；

在预留的电极位置上设置电极，以使电极与发光层的导电区相接触，导电区是发光层中除绝缘区以外的区域。

9.根据权利要求8所述的LED发光芯片的加工方法，其特征在于，步骤在挖空形成的空洞中填充绝缘材料，以形成绝缘区包括：

在空洞的洞壁上设置二氧化硅层；

在空洞中填充液晶，以使液晶通过二氧化硅层与导电区相接触，导电区是发光层中除绝缘区以外的区域。

10.一种LED发光芯片的加工方法，其特征在于，包括：

在基础层上溅射第一发光层；

在第一发光层上设置光刻图形；

在第一发光层上溅射MQW层；

剥离掉光刻图形所对应的区域，以在MQW层中形成导电区和挖空区；

在挖空区中填充绝缘材料，以形成绝缘区；

在MQW层上溅射第二发光层，第一发光层和第二发光层分别是N型层和P型层；

在第二发光层上表面设置电极，以使电极与导电区相接触。

11.一种LED发光芯片的加工方法，其特征在于，包括：

在基础层上溅射第一发光层；

在第一发光层上设置光刻图形；

在第一发光层上依次溅射MQW层和第二发光层，第一发光层和第二发光层分别是N型层和P型层；

剥离掉光刻图形所对应的区域，以在MQW层和第二发光层中均形成导电区和挖空区，MQW层中的挖空区位于电极的下方；

在挖空区中填充绝缘材料，以形成绝缘区；

在第二发光层上表面设置电极，以使电极的下表面与第二发光层的导电区相接触。