[发明专利]基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于具体过程为：首先将纳米银溶胶均匀地涂敷于预处理的玻碳电极上，然后以邻苯二胺作为功能单体、诺氟沙星作为模板分子，通过电化学聚合在纳米银修饰的玻碳电极上得到诺氟沙星分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜，再从诺氟沙星分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜中除去诺氟沙星模板分子得到基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器。

2.根据权利要求1所述的基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于具体步骤为：

（1）将新制的纳米银溶胶均匀地涂敷在预处理的玻碳电极上，于室温下干燥后得到纳米银修饰的玻碳电极；

（2）在摩尔浓度为0.1mol/L、pH=3.5～5.0的HAc-NaAc缓冲溶液中加入邻苯二胺和诺氟沙星，混合溶液中邻苯二胺的摩尔浓度为0.02mol/L，诺氟沙星与邻苯二胺的摩尔浓度之比为1:3～1:1；

（3）在步骤（2）得到的混合溶液中持续通入氮气10min，将步骤（1）得到的纳米银修饰的玻碳电极在摩尔浓度为1mol/L的硫酸溶液中采用方波伏安法激活，然后将激活的纳米银修饰的玻碳电极作为工作电极、饱和甘汞电极作为参比电极及铂片电极作为辅助电极插入混合溶液中形成三电极体聚合体系，采用循环伏安法进行电化学聚合在纳米银修饰过的玻碳电极上得到诺氟沙星分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜，工作条件为：电位扫描范围0～0.8V，扫速为50mV/s，扫描圈数为5～20圈；

（4）将纳米银修饰的印迹电极放入质量浓度为1.5%的氨水中，施加-0.4V的电势，持续时间500s，用于从诺氟沙星分子印迹的邻苯二胺聚合物薄膜中除去诺氟沙星，然后用二次水洗净得到基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器。

3.如权利要求1或2所述的方法制得的基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器在选择性检测诺氟沙星中的应用。

4.根据权利要求3所述的基于纳米银修饰的诺氟沙星分子印迹电化学传感器在选择性检测诺氟沙星中的应用，其特征在于：线性检测范围为1*10^-8mol·L^-1～2.5*10^-4mol·L^-1，最低检测限为6.3*10^-9mol·L^-1，选择性因子为8.3。