[发明专利]一种应用于声表面波滤波器的晶圆级封装结构及封装工艺有效
申请号: | 201711330447.5 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108011608B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 金中;何西良;杜雪松 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/64 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海华 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 表面波 滤波器 晶圆级 封装 结构 工艺 | ||
1.一种应用于声表面波滤波器的晶圆级封装工艺,其特征在于:步骤如下,
1)芯片加工:在同一块晶圆上加工形成多片芯片,所有芯片的工作面朝向相同,所有芯片基于同一晶圆而连接成为整体;在每个芯片工作面的外围镀一圈金膜;
2)键合:在封装晶圆上与每片芯片金膜对应位置分别镀一圈金膜,然后将步骤1)得到的所有芯片作为一个整体放在封装晶圆上并使金膜一一对应,使每片芯片上的金膜和封装晶圆上对应的金膜键合在一起;键合过程在真空或者惰性气体中完成,以避免空气中的水蒸气腐蚀芯片表面;
3)封装晶圆减薄:利用机械研磨方式使封装晶圆减薄以降低器件体积;
4)加工导通孔:通过激光打孔的方法在封装晶圆上形成导通孔以利于后续封装晶圆背面和芯片上的焊盘连通;
5)镀膜:把整个封装晶圆的背面全部镀上金属膜,金属进入导通孔中并与芯片焊盘连接起来,从而完成芯片焊盘与封装晶圆的电连接;
6)电镀增加金属膜厚度,然后刻蚀形成需要的外部电路布线结构;
7)在封装晶圆背面加工需要数量的金属焊球,并使金属焊球与外部电路布线结构形成需要的电连接。
2.根据权利要求1所述的应用于声表面波滤波器的晶圆级封装工艺,其特征在于:所述封装晶圆为玻璃材质,所述玻璃材质具有与芯片衬底材料相同或者接近的热膨胀系数。
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