[发明专利]一种ZnSnN有效
| 申请号： | 201711330330.7 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108149206B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡兴民;叶凡;王博;范平;张东平 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 载流子迁移率 氮气 射频溅射 直流溅射 氩气气氛 共溅射 金属锡 金属锌 衬底 沉积 流动 | ||
1.一种ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在流动的氮气及氩气气氛中，将金属锌经射频溅射并将金属锡经直流溅射，通过共溅射法沉积在衬底上，即得到ZnSnN2薄膜；
所述射频溅射及直流溅射的气压均为3～7Pa。
2.根据权利要求1所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
先将锌靶固定在射频靶位上，将锡靶固定在直流靶位上，将溅射系统抽真空，再持续通入氮气与氩气并保持气压稳定，然后通过共溅射法将锌和锡同时沉积在硅片或玻璃衬底上，即得到ZnSnN2薄膜。
3.根据权利要求2所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮气为99.999％的高纯氮气，所述氩气为99.995％的高纯氩气。
4.根据权利要求3所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮气的流量为4～8sccm，所述氩气的流量为15～25sccm。
5.根据权利要求1所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，所述射频溅射功率为30～50w，所述直流溅射功率为15～20w。
6.根据权利要求1所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底需预先进行清洗。
7.根据权利要求1所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底需预先经丙酮、酒精及去离子水清洗。
8.根据权利要求1所述的ZnSnN2薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底在进行薄膜沉积前需加热至300～400℃。
9.一种ZnSnN2薄膜，其特征在于，由如权利要求1～8任一所述的方法制备而成。
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