[发明专利]晶体管器件、制造晶体管器件的方法及集成电路在审
| 申请号： | 201711329376.7 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920913A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 许海涛 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人： | 孟奎;李伟波 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管器件 碳纳米管薄膜 栅电极 图案 玻璃基 介电层 集成电路 碳纳米管 电绝缘 电连接 漏电极 源电极 投影 制造 | ||
1.晶体管器件，包括：
玻璃基底；
碳纳米管薄膜图案，位于所述玻璃基底上；
源电极和漏电极，分别与所述碳纳米管薄膜图案电连接；
栅电极，所述栅电极与所述碳纳米管薄膜图案在所述玻璃基底上的投影相重叠；以及
介电层，位于所述栅电极与所述碳纳米管薄膜图案之间，所述栅电极通过所述介电层与所述碳纳米管图案电绝缘。
2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述源电极和所述漏电极由功函数大于所述碳纳米管薄膜图案的功函数的材料形成。
3.根据权利要求2所述的晶体管器件，其特征在于，所述材料包括钯、铑、或碳化钼。
4.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于，所述源电极和所述漏电极由功函数小于所述碳纳米管薄膜图案的功函数的材料形成。
5.根据权利要求4所述的晶体管器件，其特征在于，所述材料包括钪、铝、钇、或铒。
6.集成电路，包括根据权利要求1-5中任一项所述的晶体管器件。
7.制造晶体管器件的方法，包括：
提供玻璃基底；
在所述玻璃基底上形成碳纳米管薄膜图案；
在所述玻璃基底上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别与所述碳纳米管薄膜图案电连接；
在所述玻璃基底上形成栅电极，以使得所述栅电极和所述碳纳米管薄膜图案在所述玻璃基底上的投影相重叠；以及
形成介电层，所述介电层位于所述栅电极与所述碳纳米管薄膜图案之间，所述栅电极通过所述介电层与所述碳纳米管图案电绝缘。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基底上形成碳纳米管薄膜图案的步骤还包括：
在所述玻璃基底上形成碳纳米管薄膜；以及
通过光刻工艺将所述碳纳米管薄膜图案化，以得到所述碳纳米管薄膜图案。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过光刻工艺将所述碳纳米管薄膜图案化，以得到所述碳纳米管薄膜图案的步骤包括：使用步进式光刻机将所述碳纳米管薄膜图案化。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃基底上形成源电极和漏电极的步骤还包括：
使用钯、铑或碳化钼在所述玻璃基底上形成所述源电极和所述漏电极；或
使用钪、铝、钇或饵在所述玻璃基底上形成所述源电极和所述漏电极。
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