[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201711329340.9 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN107968098B | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 李命洙;崔源烈;金炳澈;朴熙星 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示OLED装置,所述OLED装置包括:
显示区域,该显示区域由基板上的多个发光元件限定;
非显示区域,该非显示区域在所述显示区域周围;
选通驱动器,该选通驱动器在所述非显示区域中;
连接单元,该连接单元在所述非显示区域中形成在所述选通驱动器上方;
所述多个发光元件,所述多个发光元件中的每一个包括第一电极、发光层和第二电极,所述第二电极延伸到所述非显示区域;
公共电压线,该公共电压线设置在所述选通驱动器外侧;
壁,该壁被构造成在所述非显示区域中包围所述显示区域并且设置在所述公共电压线的至少一部分处;
第一封装层和第二封装层,该第一封装层和第二封装层覆盖所述非显示区域的至少一部分和所述显示区域;以及
颗粒覆盖层,该颗粒覆盖层设置在所述第一封装层和所述第二封装层之间,
其中,所述第二封装层在所述壁的外侧面处接触所述第一封装层,
所述第一封装层和所述第二封装层的接触区域从所述壁的所述外侧面延伸至远离所述显示区域的区域,
所述壁包括第一坝和第二坝,并且所述第一坝的高度大于与所述第一坝相邻的所述颗粒覆盖层的高度,并且
所述第一坝和所述第二坝之间的空间包含所述颗粒覆盖层的溢出部分,
其中,所述第一封装层在所述壁的外侧面处与所述第二封装层接触的区域的长度为50μm或更大。
2.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述第一坝比所述第二坝更靠近所述选通驱动器。
3.根据权利要求2所述的OLED装置,其中,所述第一封装层在所述第二坝上接触所述第二封装层。
4.根据权利要求2所述的OLED装置,其中,所述第二坝是抑制所述颗粒覆盖层的过度扩展的多层结构。
5.根据权利要求4所述的OLED装置,其中,所述多层结构由与以下项中的至少两者的材料相同的材料制成:岸、间隔件以及设置在所述多个发光元件中的平坦化层。
6.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述连接单元由与所述第一电极的材料相同的材料制成。
7.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述连接单元电连接到所述公共电压线。
8.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述多个发光元件还包括连接到选通线和数据线的薄膜晶体管,并且所述公共电压线由与所述选通线或所述数据线的材料相同的材料形成。
9.根据权利要求1所述的OLED装置,其中,所述第二电极延伸到所述选通驱动器并且连接到所述连接单元。
10.一种显示装置,该显示装置包括:
基板上的多个像素;
选通驱动器,该选通驱动器设置在所述多个像素外侧;
连接单元,该连接单元形成在所述选通驱动器上方并且电连接到所述多个像素的阴极;
公共电压线,该公共电压线连接到所述连接单元并且设置在所述选通驱动器和所述多个像素二者的外侧;
壁,该壁与所述公共电压线交叠并且包括彼此分隔开的至少两个坝;
第一封装层,该第一封装层覆盖所述多个像素、所述选通驱动器和所述壁;
覆盖层,该覆盖层在所述第一封装层上;以及
第二封装层,该第二封装层覆盖所述第一封装层的一部分或全部以及所述覆盖层,
其中,所述第二封装层在所述壁的外侧面处接触所述第一封装层,
所述第一封装层和所述第二封装层的接触区域从所述壁的所述外侧面延伸至远离所述多个像素的区域,
所述壁包括第一坝和第二坝,并且与所述选通驱动器相邻的所述第一坝的高度大于与所述第一坝相邻的所述覆盖层的高度,
其中,所述第一封装层在所述壁的外侧面处与所述第二封装层接触的区域的长度为50μm或更大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的