[发明专利]电致发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201711328139.9 | 申请日: | 2017-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN108257547B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
| 发明(设计)人: | 白承汉;李贞源;余宗勳;李智勳 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电致发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种电致发光显示装置,包括:
基板;
位于所述基板上并限定发光区域的第一堤层;
位于所述发光区域上的第一电极,所述第一电极的端部与所述第一堤层的端部邻接而不与所述第一堤层交叠;
位于所述第一电极上的发光层;
位于所述第一电极的下表面的下方的第二电极;以及
位于所述第一堤层上的第二堤层,
其中,所述第二电极的宽度大于所述第一电极的宽度。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第二堤层限定比所述第一堤层限定的区域更宽的区域。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第一电极的整个上表面与所述发光层接触。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第一堤层具有与所述发光层相同的亲水性。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第一电极的上表面处的高度低于所述第一堤层的上表面处的高度。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第二电极的端部与所述第一堤层交叠。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述第二电极包括第一透明导电层、第二透明导电层和反射层,所述反射层插入在所述第一透明导电层与所述第二透明导电层之间。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置,其中所述第二电极的第二透明导电层与所述第一电极的下表面接触,并且所述第二电极的第二透明导电层的厚度小于所述第一电极的厚度。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括位于所述第一堤层上的第二堤层,其中所述第一堤层由亲水材料形成,并且所述第二堤层的上部由疏水材料形成。
10.一种电致发光显示装置,包括:
基板;
位于所述基板上的第二电极,所述第二电极包括位于所述第二电极的上部中的第一透明导电层;
位于所述第二电极上并且部分覆盖所述第二电极的第一堤层,所述第一堤层限定发光区域;
位于所述第二电极上并且位于所述发光区域内的第一电极,所述第一电极具有比所述第二电极的第一透明导电层的厚度大的厚度;
位于所述第一电极上的发光层;以及
位于所述第一堤层上的第二堤层。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中所述第二电极包括针孔。
12.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中所述第二电极包括除所述第二电极的材料之外的异物。
13.根据权利要求12所述的电致发光显示装置,其中所述异物包括氟和硫的至少之一。
14.根据权利要求10所述的电致发光显示装置,其中所述第二堤层包括与所述第一堤层的材料不同的材料。
15.一种制造电致发光显示装置的方法,包括:
在基板上形成第一堤层;
在所述第一堤层上形成光刻胶图案;
使用所述光刻胶图案作为掩模去除所述第一堤层的一部分,以限定发光区域;
在所述光刻胶图案和所述发光区域上形成第一电极;
去除所述光刻胶图案和形成在所述光刻胶图案上的第一电极;
在所述第一堤层上形成第二堤层;以及
在保留在所述发光区域上的第一电极上形成发光层,
其中,所述方法还包括以下步骤:在形成所述第一堤层之前在所述基板上形成第二电极,并且
其中,所述第二电极与所述第一堤层交叠,并且保留在所述发光区域上的第一电极不与所述第一堤层交叠。
16.根据权利要求15所述的方法,其中保留在所述发光区域上的第一电极的端部面对所述第一堤层的端部并且与所述第一堤层的端部接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711328139.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





