[发明专利]射频消融电极温度控制系统在审
申请号: | 201711328097.9 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108245245A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 潘晓海 | 申请(专利权)人: | 武汉市海沁医疗科技有限公司 |
主分类号: | A61B18/12 | 分类号: | A61B18/12 |
代理公司: | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 向敢;韩惠琴 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频消融电极 射频功率放大电路 消融电极 红外辐射能量 温度控制系统 红外探测器 辐射区域 输出射频信号 同轴电缆连接 信号调理电路 安全使用 控制电路 输出功率 消融头 采集 驱动 输出 检测 转换 | ||
1.一种射频消融电极温度控制系统,其特征在于,包括:设置至少一个阵列红外探测器,其用于接收所述射频消融电极辐射区域的红外辐射能量,并将接收到的红外辐射能量转换为电信号并输出所述电信号;
驱动和信号调理电路,其连接到所述阵列红外探测器并驱动所述阵列红外探测器,并且所述驱动和信号调理电路接收所述阵列红外探测器输出的电信号,并对所述电信号进行调理并输出经调理的电信号;
消融电极通过同轴电缆连接射频功率放大电路,所述射频功率放大电路用于向对应的消融电极输出所述射频信号;
控制电路,与所述驱动和信号调理电路相连接;
以及射频功率调节电路,与所述射频功率放大电路和所述控制电路均相连接,用于调节所述射频功率放大电路的输出功率;
以及射频信号控制单元,向所述射频功率放大电路传送射频信号,用于控制所述射频功率调节电路。
2.如权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述阵列红外探测器包括:以阵列方式布置的多个红外敏感元,每一红外敏感元均用于接收所述射频消融电极辐射区域的红外辐射能量,并将所述红外辐射能量转换为模拟信号;多个前置放大器,其用于对所述多个红外敏感元输出的模拟信号进行放大处理;以及多路开关电路,其用于对经放大处理的模拟信号进行选择并进行输出。
3.如权利要求2所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述阵列红外探测器还包括:模数转换电路,其连接在所述多个前置放大器和所述多路开关电路之间,用于将所述多个前置放大器输出的模拟信号转换为数字信号并将所述数字信号发送到所述多路开关多路,其中,所述多路开关电路对所述数字信号进行选择并进行输出。
4.根据权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述射频信号控制单元输出射频驱动信号,所述射频驱动信号控制所述射频功率放大器输出射频信号。
5.根据权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述射频功率调节电路用于调节所述射频功率放大电路的供电电压。
6.根据权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述射频功率调节电路为降压式变换电路。
7.根据权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述射频功率放大电路还用于接收射频驱动信号。
8.根据权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述射频功率放大电路包括:
MOSFET驱动电路,用于产生一对互补的驱动信号;
一对推挽工作的MOSFET,与所述MOSFET驱动电路相连接,用于根据所述互补的驱动信号对射频信号进行推挽放大;
隔离输出变压器,与所述推挽工作的MOSFET相连接,用于对推挽放大后的射频信号进行隔离和变压。
9.根据权利要求1所述的射频消融电极温度控制系统,其特征在于,所述驱动和信号调理电路还与所述射频功率放大电路相连接,用于将所述射频功率放大电路运行参数发送给所述控制电路。
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