[发明专利]一种EMCCD探测器的真空封装杜瓦有效
| 申请号： | 201711327634.8 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108180672B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 聂山钧;王明富;高晓东;廖靖宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 emccd 探测器 真空 封装 | ||
1.一种EMCCD探测器的真空封装杜瓦，其特征在于：包括可伐底座(1)、可伐上壳(2)、半导体制冷器(3)、温度探测器(4)、EMCCD(5)、玻璃窗口(6)、防辐射屏(7)、吸气剂(8)、信号线(9)、铜散热底座(10)和电极引线(11)；玻璃窗口(6)与可伐上壳(2)通过铟密封封接，铜散热底座(10)与可伐底座(1)通过钎焊焊接，电极引线(11)与可伐底座(1)通过玻封封接，半导体制冷器(3)通过低熔点金属连接在铜散热底座(10)上以利于散热；吸气剂(8)焊接于可伐底座(1)的电极引线上；EMCCD(5)通过低温胶粘结在半导体制冷器(3)的冷端，其感光面中心与玻璃窗口的中心重合；防辐射屏(7)与温度探测器(4)通过低温胶粘结到EMCCD(5)上；信号线(9)两端分别焊接于EMCCD(5)的引脚和电极引线(11)上；将组装好器件的可伐底座(1)和可伐上壳(2)位置对齐且留有一定间隙后置于真空室中进行排气，排气一段时间后将二者进行配合并用激光进行焊接密封。
2.根据权利要求1所述的EMCCD探测器的真空封装杜瓦，其特征在于：杜瓦内部表面镀一层1μm厚的金，同时在EMCCD(5)表面粘贴镀金的防辐射屏(7)以降低辐射漏热。
3.根据权利要求1所述的EMCCD探测器的真空封装杜瓦，其特征在于：使用吸气剂(8)吸收杜瓦内部部件的放气及各焊接处的泄露以维持杜瓦的高真空度，从而将EMCCD(5)与周围环境的传导漏热降低到最低，从而实现EMCCD(5)的深度制冷。
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