[发明专利]一种全无机纳米流体二极管的制备方法

权利要求书

1.一种全无机纳米流体二极管的制备方法，其特征在于：具体步骤包括，

第一步，以多孔阳极氧化铝为基底，在基底两侧分别制备两种具有差异等电点的无机氧化物薄膜：

(1.1)基底清洗；

(1.2)磁控溅射镀膜，首先，选取溅射靶材A，在基底一侧沉积氧化物A薄膜；

磁控溅射的条件为将基底置于多靶磁控溅射镀膜机的真空室内，抽真空，真空度控制在2×10^-3Pa；单独向真空室内通入工作气体，工作气体压强为1.0～2.0Pa,工作电流40～70mA，先进行预溅射10～15分钟；然后，将反应气体和工作气体流量比控制在1:9～1:3，开始溅射；溅射时间为30～60分钟；

(1.3)切换溅射靶材B，利用磁控溅射方法在基底另一侧沉积氧化物B薄膜，即得到具有三明治结构的全无机多孔薄膜；

磁控溅射的条件为，真空度控制在2×10^-3Pa；先通入工作气体，工作气体压强为1.0～2.0Pa,工作电流40～70mA，进行预溅射10～15分钟；然后将反应气体和工作气体流量比控制在1:9～1:3，开始溅射；溅射时间为30～60分钟；

第二步，将上述全无机多孔薄膜在空气中于500～900℃温度下煅烧1～3小时，即得到全无机纳米流体二极管，在中性水溶液中，所述的全无机纳米流体二极管的两侧表面带有异种电荷。

2.根据权利要求1所述的一种全无机纳米流体二极管的制备方法，其特征在于：所述的溅射靶材A和溅射靶材B为纯度99.99％的金属靶或单晶硅靶。

3.根据权利要求2所述的一种全无机纳米流体二极管的制备方法，其特征在于：所述的金属靶为钨靶、镍靶、锆靶、镁靶或钛靶。

4.根据权利要求2所述的一种全无机纳米流体二极管的制备方法，其特征在于：所述的溅射靶材A和溅射靶材B选取镍靶和钨靶，或选取镁靶和钛靶，或选取锆靶和单晶硅靶。

5.根据权利要求1所述的一种全无机纳米流体二极管的制备方法，其特征在于：所述的工作气体为纯度为99.99％的氩气，反应气体为纯度99.99％的氧气。