[发明专利]半导体元件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供基底，所述基底具有存储器区与电容区；

于所述存储器区的所述基底上形成多条字线结构，以及于所述电容区的所述基底上形成电容结构，其中所述字线结构与所述电容结构各自包括：

第一介电层，位于所述基底上；

第一导体层，位于所述第一介电层上；

第二介电层，位于所述第一导体层上；以及

第二导体层，位于所述第二介电层上；以及

移除所述字线结构的邻近所述存储器区的边缘的所述第二导体层，直到暴露所述第二介电层，且同时移除所述电容结构的部分所述第二导体层，以于所述电容结构的所述第二导体层中形成暴露部分所述第二介电层的沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述第一介电层包括氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述第一导体层包括多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述第二介电层包括由依序叠层的氧化物层、氮化物层与氧化物层所构成的复合层。

5.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中所述第二导体层包括多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中邻近所述存储器区的边缘的所述字线结构的所述第二导体层与所述电容结构的部分所述第二导体层是在同一个刻蚀工艺中被移除。

7.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，在每一所述字线结构中，邻近所述存储器区的边缘的部分的宽度大于其余部分的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的制作方法，其中在相邻的所述字线结构中，邻近所述存储器区的边缘的所述部分中的所述第二导体层互相连接。

9.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供基底，所述基底具有存储器区与电容区；

于基底中形成隔离结构，以定义出有源区；

于所述有源区中的所述基底上形成第一介电层；

于所述第一介电层上形成第一导体层；

于所述基底上形成第二介电层；

于所述第二介电层上形成第二导体层；

进行图案化工艺，移除所述存储器区与电容区中的部分所述第一介电层、部分所述第一导体层、部分所述第二介电层以及部分所述第二导体层，以于所述存储器区中形成多条字线结构，且于所述电容区中形成电容结构，其中所述字线结构的延伸方向与所述隔离结构的延伸方向交错；以及

移除所述字线结构的邻近所述存储器区的边缘的所述第二导体层，直到暴露所述第二介电层，且同时移除所述电容结构的部分所述第二导体层，以于所述电容结构的所述第二导体层中形成暴露部分所述第二介电层的沟槽。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制作方法，其中邻近所述存储器区的边缘的所述字线结构的所述第二导体层与所述电容结构的部分所述第二导体层是在同一个刻蚀工艺中被移除。