[发明专利]开关元件、及形成和使用开关元件的方法在审
申请号: | 201711323785.6 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN108110022A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 王月;金子贵昭;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 田菁 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关元件 氧化区 金属形成 金属区 图像传感器 面积增大 像素单元 电隔离 源元件 氧化物 减小 金属 | ||
本公开涉及一种开关元件,包括:金属区,所述金属区包括由金属形成的第一部分和由所述金属形成的第二部分;以及氧化区,所述氧化区由所述金属的氧化物形成,所述氧化区被构造为将所述第一部分和所述第二部分电隔离。本公开涉及一种形成开关元件的方法和使用开关元件的方法。本公开能够减小FEOL中用于形成有源元件的面积,从而使得图像传感器中用于像素单元的面积增大。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,具体来说,涉及一种开关元件、及形成和使用开关元件的方法。
背景技术
现有技术中,图像传感器的有源元件(例如,开关元件)均是在前段制程(frontend of line,FEOL)中形成。如果能在后段制程(back end of line,BEOL)中形成有源元件,例如,在金属互连层中形成有源元件,则能够减小FEOL中用于形成有源元件的面积,从而使得用于像素单元的面积增大。
因此,存在对新技术的需求。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种新的开关元件、及形成和使用开关元件的方法,使得能够在BEOL中形成开关元件。
根据本公开的第一方面,提供了一种开关元件,包括:金属区,所述金属区包括由金属形成的第一部分和由所述金属形成的第二部分;以及氧化区,所述氧化区由所述金属的氧化物形成,所述氧化区被构造为将所述第一部分和所述第二部分电隔离。
根据本公开的第二方面,提供了一种开关元件,包括:金属区,所述金属区包括由金属形成的第一部分和由所述金属形成的第二部分,所述第一部分和所述第二部分电连接,其中,所述第一部分中分布有所述金属的氧化物。
根据本公开的第三方面,提供了一种形成开关元件的方法,包括:形成金属区,所述金属区由金属形成;以及在所述金属区中形成氧化区,所述氧化区由所述金属的氧化物形成,所述氧化区被构造为将所述第一部分和所述第二部分电隔离。
根据本公开的第四方面,提供了一种形成开关元件的方法,包括:成金属区的第一部分,所述金属区由金属形成;在所述第一部分上形成氧化区,所述氧化区由所述金属的氧化物形成;以及在所述氧化区上形成所述金属区的第二部分,其中,所述氧化区被构造为将所述第一部分和所述第二部分电隔离。
根据本公开的第五方面,提供了一种使用开关元件的方法,所述开关元件包括:金属区,所述金属区包括由金属形成的第一部分和由所述金属形成的第二部分;以及氧化区,所述氧化区由所述金属的氧化物形成,所述氧化区被构造为将所述第一部分和所述第二部分电隔离,所述方法包括:对所述第一部分施加第一电压,并且对所述第二部分施加第二电压,其中,所述第一电压大于所述第二电压;当所述第一电压和所述第二电压被施加第一预定时间使得所述第一部分和所述第二部分电连接后,停止施加所述第一电压和所述第二电压,以使得所述开关元件处于导通状态。
根据本公开的第六方面,提供了一种使用开关元件的方法,所述开关元件包括:金属区,所述金属区包括由金属形成的第一部分和由所述金属形成的第二部分,所述第一部分和所述第二部分电连接,其中,所述第一部分中分布有所述金属的氧化物,所述方法包括:对所述第一部分施加第三电压,并且对所述第二部分施加第四电压,其中,所述第三电压小于所述第四电压;当所述第三电压和所述第四电压被施加第二预定时间使得所述第一部分和所述第二部分电隔离后,停止施加所述第三电压和所述第四电压,以使得所述开关元件处于关断状态。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的