[发明专利]一种瓷胚胎上釉设备以及使用该设备的瓷胚胎上釉方法

权利要求书

1.一种瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述设备包括与机座(1)固定连接的支架(2)，所述支架(2)上的电机(3)与托盘(4)连接以用于给瓷胚胎(20)上釉，所述托盘(4)与电机(3)的外部设有下罐体(6)，所述下罐体(6)与上罐体(7)相互扣接密封后形成真空结构，所述下罐体(6)内壁设有风扇(5)，所述下罐体(6)的侧壁与抽真空装置(21)连接，所述抽真空装置(21)上设有真空度表(18)、调压阀(19)和检漏仪(22)；

所述上罐体(7)的顶部中心位置设置有混料仓(17)，所述混料仓(17)与上罐体(7)之间设有隔板，所述隔板上设有喷射口向下的第一喷射口(9a)，所述混料仓(17)侧壁设有的管道将水平设置的第二喷射口(9b)与上罐体(7)连通，所述管道上设有增压泵(10)和阀门(8)，所述混料仓(17)顶部设有储料罐(12)，所述储料罐(12)上设有密封盖(13)，所述混料仓(17)和储料罐(12)之间设有漏料板(16)，所述漏料板(16)中间位置设有与电源连接的双轴电机(11)和落料口，所述双轴电机(11)在储料罐(12)内的轴端设有上搅拌叶片(15a)，所述双轴电机(11)在混料仓(17)内的轴端设有下搅拌叶片(15b)。

2.根据权利要求1所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述上搅拌叶片(15a)和下搅拌叶片(15b)均设有为a角的旋角，所述a角的角度范围为1°～5°。

3.根据权利要求2所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述上搅拌叶片(15a)设有的旋角向上，所述下搅拌叶片(15b)设有的旋角向下。

4.根据权利要求2或3所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述a角的角度为1.0°、1.5°、2.0°、2.5°、3.0°、3.5°、4.0°、4.5°或5.0°。

5.根据权利要求1所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述风扇(5)设置在与托盘(4)高度相同或低于托盘(4)的位置，所述风扇(5)与托盘(4)的水平位置设有向上倾斜的夹角。

6.根据权利要求5所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述夹角的角度范围为30°～90°。

7.根据权利要求6所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述夹角为30°、45°、50°、60°、70°或90°。

8.根据权利要求1所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述上搅拌叶片(15a)和下搅拌叶片(15b)上设有漏料口(14)。

9.根据权利要求8所述瓷胚胎上釉设备，其特征在于，所述漏料口(14)为椭圆型孔。

10.一种使用根据权利要求1至9任一所述瓷胚胎上釉设备的瓷胚胎上釉的方法，其特征在于，所述瓷胚胎上釉的方法包括以下步骤：

步骤1、先将烧制好的瓷胚胎(20)毛胚进行修型、再打磨至光滑，然后将光滑的瓷胚胎(20)毛胚的表面刷涂或喷涂上粘结剂，然后打开上罐体(7)，再将涂抹好粘结剂的瓷胚胎(20)毛胚放置在托盘(4)上，将上罐体(7)和下罐体(6)扣合形成密闭密封；

步骤2、以石英、长石、硼砂、黏土为原料制成的上釉物质磨成粉，制成上釉粉末料，并磨碎颗粒度范围为20um～40um，打开密封盖(13)，将需要用的上釉粉末料投放到储料罐(12)内后形成密封状态；

步骤3、将设备中的开关(23)放到on档，抽真空装置(21)开始工作，检查真空度表(18)和调整调压阀(19)是否正常工作，使真空度表(18)的数值保持在气压的压力数值为0.2～0.3大气压力范围之间，形成负压；

步骤4、检查保持在0.2～0.3大气压力数值范围内后，打开倾斜设置的风扇(5)使其开始正常工作，在上罐体(7)和下罐体(6)内，形成向上的空气环流；

步骤5、打开控制电机(3)工作的开关，使电机(3)开始工作，电机(3)的减速器使托盘(4)的转速在10～20转/分钟范围内工作；

步骤6、打开控制双轴电机(11)的开关，使双轴电机(11)开始工作，让步骤2中的上釉粉末料，在双轴电机(11)上的上搅拌叶片(15a)和下搅拌叶片(15b)开始转动形成在重力作用下，经过上搅拌叶片(15a)的搅拌作用下使上釉粉末料进行第一次混匀，再经过漏料板(16)上的缝隙漏到混料仓(17)的上部，再经过下搅拌叶片(15b)的转动进行二次混匀，上釉粉末料再重力作用下泄漏到混料仓(17)中部和下部，经过增压泵(10)的增压作用，使上釉粉末料呈粉末状，经过第一喷射口(9a)、第二喷射口(9b)喷射到上罐体(7)和下罐体(6)内部，粉末状的上釉粉末料经过风扇(5)向上的吹力和负压的作用呈分散状扩散，同时附着在涂有粘结剂的瓷胚胎(20)上，经过10分钟～20分钟，上釉粉末料被均匀的附着在瓷胚胎(20)，完成瓷胚胎(20)毛胚的上釉工序。