[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201711322006.0 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN108040435B 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 张珊珊;杨会生;高克玮;颜鲁春;庞晓露;杨理航 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06;C23F1/18;C23F1/30
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 陶瓷 线路 刻蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法,其特征在于采用两步法对基板进行快速刻蚀;

1)对氮化铝陶瓷基板导电金属铜层表面进行处理,涂覆感光油墨,经曝光显影使带有图形的感光油墨固化在覆铜板金属侧;采用三氯化铁和铜的反应选择性的去除金属铜导电层;

2)刻蚀合金钎料层:先采用湿法化学刻蚀方法刻蚀导电铜层至合金钎料层,然后浸入硝酸和过氧化氢刻蚀液中进行充分反应至到合金钎料层完全刻蚀至界面反应层;

3)刻蚀钎料和陶瓷的的界面反应层:将步骤2)露出界面反应层的样品浸入硫酸和过氧化氢和水组成的刻蚀液中刻蚀界面反应层,直至露出陶瓷层;

4)去除感光油墨,完成线路板刻蚀工艺;

步骤2)所述刻蚀合金钎料层的刻蚀液由硝酸和过氧化氢组成,硝酸和过氧化氢的体积比为0.3-2:0.8-1.5,所述的硝酸的质量浓度为65%-70%,所述的过氧化氢的质量浓度为20%-40%;

步骤3)所述刻蚀钎料和陶瓷的的界面反应层的刻蚀液由硫酸和过氧化氢和水组成,所述的硫酸和过氧化氢和水的体积比为0.5-2:0.3-1.5:0.1,所述的硫酸的质量浓度是98%,所述的过氧化氢的质量浓度为20%-40%。

2.根据权利要求1所述一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法,其特征在于步骤2)所述刻蚀合金钎料层主要成分为银基固溶体和铜基固溶体,步骤3)所述刻蚀钎料和陶瓷的的界面反应层,主要成分为TiN、TiAl3复杂化合物。

3.根据权利要求1所述一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法,其特征在于所述的刻蚀液中的水为去离子水或蒸馏水。

4.根据权利要求1所述一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法,其特征在于所述的合金钎料层刻蚀时间10-20min,界面反应层刻蚀时间5-20s。

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