[发明专利]一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池

说明书

本申请公开了一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池，该方法包括对对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽，利用激光消融方式将所述n型元素区域中的n型元素聚集在激光刻槽区域，形成具有预设深度的n+区域，构成选择发射极。该太阳能电池包括在黑硅表面的上述选择发射极，所述选择发射极中设置有金属栅线。上述湿法黑硅的选择发射极的制作方法及太阳能电池，能够促进电池片与栅线之间的电荷传输性能，提高湿法黑硅电池的光电转化效率。

技术领域

本发明属于光伏设备制造技术领域，特别是涉及一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池。

背景技术

目前，能源危机正威胁着人类的生存和发展，与不可再生的化石能源相比，太阳能资源具有清洁、可再生等优势，太阳能电池可以实现人们对太阳能资源的有效利用。在诸多的太阳能电池种类中，晶体硅太阳能电池产业化程度最高、应用范围最广、技术最为成熟，一直是发展较为迅速的太阳能电池类型之一。

随着硅片金刚线切割工艺的发展，硅太阳能电池的成本不断降低。金属催化的湿法制绒是针对金刚线切割多晶硅片的有效制绒手段，金属催化的湿法制绒需要匹配较高的扩散方阻来获得较高的光电转化效率，现有的湿法黑硅工艺中，扩散后硅片方阻达到120Ω，然而较高的方阻不利于电池片与栅线的电荷传输，因此不利于后期丝网印刷过程中栅线电池的接触。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池，能够促进电池片与栅线之间的电荷传输性能，提高湿法黑硅电池的光电转化效率。

本发明提供的一种湿法黑硅的选择发射极制作方法，包括：

对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；

在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；

在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽，利用激光消融方式将所述n型元素区域中的n型元素聚集在激光刻槽区域，形成具有预设深度的n+区域，构成选择发射极。

优选的，在上述湿法黑硅的选择发射极制作方法中，

所述激光刻槽区域宽度范围为80μm至120μm。

优选的，在上述湿法黑硅的选择发射极制作方法中，

所述预设深度的范围为3μm至10μm。

优选的，在上述湿法黑硅的选择发射极制作方法中，

所述激光刻槽为利用波长为532nm的激光进行刻槽。

优选的，在上述湿法黑硅的选择发射极制作方法中，

所述n型元素为磷元素。

优选的，在上述湿法黑硅的选择发射极制作方法中，

所述待制作金属栅线为银栅线。

优选的，在上述湿法黑硅的选择发射极制作方法中，

所述银栅线的宽度为40μm。

本发明提供的一种太阳能电池，包括在黑硅表面利用上面任一项所述的方法制作的选择发射极，所述选择发射极中设置有金属栅线。

通过上述描述可知，本发明提供的上述湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池，由于该方法包括对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽，利用激光消融方式将所述n型元素区域中的n型元素聚集在激光刻槽区域，形成具有预设深度的n+区域，构成选择发射极，因此能够促进电池片与栅线之间的电荷传输性能，提高湿法黑硅电池的光电转化效率。