[发明专利]EPROM自动重烧方法

说明书

本发明公开了一种EPROM自动重烧方法，包括：判断芯片的运行控制区是否适合再次烧写，若适合烧写，读取存储区，计算已烧写长度和待写入数据长度；判断控制区内的烧写空间是否足够，若是，对所述待写入数据的特殊指令进行处理，烧写所述待写入数据；烧写完毕后，对烧写数据进行数据校验，若校验成功，则自动烧写成功；否则，显示校验错误，烧写结束。本发明提供的EPROM自动重烧方法，可以实现EPROM的多次使用，并使用自动测试、烧录设备来替代人工，调高了EPROM的利用率，降低了重烧成本。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，具体涉及一种EPROM自动重烧方法。

背景技术

只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，英文简称ROM。除少数产品使用通用的只读存储器之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。为了便于使用和大批量生产，进一步发展了可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。其中EPROM这种存储器，一方面可以自主烧写，成本低廉，因而获得飞速发展，但是，需用紫外光长时间照射才能擦除，较为繁琐。而当使用EPROM存储器的芯片被封装成不带透光功能的封装体后，也就无法擦除，只能烧写一次。当此类芯片烧写了错误的数据，便无法改正，从而造成损失。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的主要目的在于：提出一种EPROM自动重烧方法，可以实现EPROM的多次使用，并使用自动测试、烧录设备来替代人工，调高了EPROM的利用率，降低了重烧成本。

为实现前述目的，本发明公开了一种EPROM自动重烧方法，包括：

S1.判断芯片的运行控制区是否适合再次烧写，若是，执行步骤S2；否则，执行步骤S7；

S2.读取存储区，计算已烧写长度；读取待写入数据，并计算其长度；

S3.判断运行控制区内的烧写空间是否足够，若是，执行步骤S4；否则，执行步骤S7；

S4.对所述待写入数据的特殊指令进行处理；

S5.烧写所述待写入数据；

S6.对烧写数据进行数据校验，若校验成功，则自动重烧成功；否则，显示校验错误；

S7.烧写结束。

优选地，在编写待烧数据时，对表头增加特殊指令集，隐含表长度信息，开始运行位置预留跳转空间。

优选地，所述判断芯片的运行控制区是否适合再次烧写包括：检测运行控制区的待烧写数据是否存在不可逆操作，若存在不可逆操作，则所述控制区不适合再次烧写。

优选地，根据当前EPROM芯片的整体空间大小，以及已烧写长度和待写入数据长度，判断烧写空间是否足够。

优选地，对所述待写入数据的特殊指令进行处理包括：

根据所述特殊指令集，查找所有的数据表及其长度，对数据表以外的EPROM地址相关指令进行地址偏移；

根据表调用指令，查找所有的数据表调用程序段，对调用地址进行偏移；

在数值开始执行位置的预留区域，烧写地址跳转指令。

优选地，所述地址跳转指令指向的跳转地址根据当前已烧写空间大小计算确定。

优选地，在步骤S1判断结果为否，执行步骤S7之前，显示不能烧写错误。

优选地，在步骤S3判断结果为否，执行步骤S7之前，显示不能烧写错误。