[发明专利]一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法

权利要求书

1.一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于工艺步骤如下：

(1)将氮化铝陶瓷基片和金属铜片在有机溶剂中进行超声波清洗20-30min，去除陶瓷基片表面粘附的油渍污垢，然后进行100-200℃干燥1-5h，使陶瓷基片表面的有机物和水份充分挥发，并对陶瓷基片表面进行离子轰击，使陶瓷基片表面达到原子级清洁；

(2)采用真空磁控溅射或离子镀的方法在步骤(1)中清洁过的氮化铝陶瓷基片表面依次沉积Ti、Zr、Hf或Cr金属层和Cu金属层，得到双层预金属化的氮化铝陶瓷基片；

(3)对金属铜片进行酸洗，去除表面氧化物膜，得到具有新鲜表面的金属铜片；

(4)在步骤(2)中得到的沉积了金属层的氮化铝陶瓷上下表面涂覆金属焊膏，对焊膏进行预干燥处理，在150-200℃保温2-5h，使焊膏中的有机溶剂充分挥发，焊膏在陶瓷基片上固化；

(5)将步骤(3)中处理好的金属铜片和步骤(4)中的陶瓷基片进行装配，置于真空钎焊炉中抽真空，当炉内真空度达到5×10-4Pa时开始加热，将炉内温度加热到300-500℃保温1-3h，然后再升温至800-900℃保温30-60min进行真空焊接；保温结束后以10-20℃/min的速率快冷至700℃，之后随炉冷却至室温即完成氮化铝陶瓷金属化。

2.根据权利要求1所述一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述陶瓷基片的厚度为0.5-1mm，步骤(3)中所述铜金属片的厚度为0.15-0.5mm。

3.根据权利要求1所述一种高导热氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于步骤(2)所述采用真空磁控溅射或离子镀方式对陶瓷基片表面进行离子轰击达到原子级清洁并预金属化，其中Ti、Zr、Hf或Cr金属层厚度为1μm-2μm，溅射的Cu金属层厚度为5-10μm。

4.根据权利要求2所述一种高导热氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，其特征在于步骤(5)所述真空焊接的真空度为1×10-3-5×10-4Pa。