[发明专利]半导体封装体和用于制造半导体封装体的方法有效
| 申请号： | 201711317084.1 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108231608B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈淑雯;张超发;钟福兴;郑家锋;方子康;穆罕默德萨努斯穆罕默德;黄美晶;黄胤生;卜佩銮;王春晖 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 用于 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体封装体的方法，所述方法包括：
提供载体；
在所述载体中制造开口；
将半导体芯片附连到所述载体；以及
制造覆盖所述半导体芯片的包封体；
在制造所述开口之前和制造所述包封体之前将膏状物施加到所述载体上，其中，所述膏状物被施加在所述开口的指定位置处。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口被配置成能使所述半导体封装体卸除应力。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述应力基于所述载体和所述半导体芯片的热膨胀系数之间的差异。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述载体中制造开口包括通过切割和钻孔透过所述载体中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述切割和钻孔中的至少一种是使用激光器执行的。
6.根据权利要求1-3、5中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括：
在制造所述开口之前将所述载体附连到临时载体。
7.根据权利要求1-3、5中任一项所述的方法，其中，所述开口包括孔或沟槽。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口包括将所述载体分离成第一区段和第二区段的沟槽。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：
在制造所述沟槽之前将所述载体附连到临时载体，其中，所述临时载体被配置成能使所述第一区段和所述第二区段相对于彼此保持在限定的位置处。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括：
在制造所述沟槽之前将膏状物施加到所述载体上，所述膏状物被配置成能使所述第一区段和第二区段相对于彼此保持在限定的位置处。
11.根据权利要求1-3、5、8-10中任一项所述的方法，其中，所述半导体芯片包括光作用区域，所述开口被配置成能使光在所述光作用区域与所述半导体封装体的外部之间传导。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711317084.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片封装方法及封装结构
- 下一篇：通过部件固定结构将部件嵌入部件承载件中
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
