[发明专利]包括突起焊盘的半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

衬底，其包括单元阵列区和接触区；和

堆叠结构，其包括交替地堆叠在所述衬底上的多个绝缘层和多个栅电极，所述堆叠结构包括所述接触区中的阶梯式结构，

其中，所述多个栅电极中的每一个包括包含所述阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元，

其中，所述焊盘单元中的至少一个包括基础焊盘和所述基础焊盘上的突起焊盘，并且

其中，所述突起焊盘位于所述基础焊盘的表面的垂直于对应的栅电极的延伸方向的两条边之间并且与所述两条边间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述突起焊盘接触所述基础焊盘的所述表面的面积小于所述基础焊盘的所述表面的面积。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述突起焊盘包括位于所述基础焊盘上的岛形。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述焊盘单元中的两个邻近的焊盘单元之间的最小距离大于位于所述两个邻近的焊盘单元之间的绝缘层的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述突起焊盘的侧部在平行于所述栅电极的所述延伸方向的方向上与所述基础焊盘的侧部共面。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述突起焊盘位于所述基础焊盘的所述表面的平行于所述栅电极的所述延伸方向的两条边之间并且与所述两条边间隔开。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，在所述阶梯式结构中，所述焊盘单元在所述栅电极的所述延伸方向上阶梯式地倾斜，并且在垂直于所述栅电极的所述延伸方向的方向上阶梯式地倾斜。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述焊盘单元包括不包括所述突起焊盘的至少一个焊盘单元。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，不包括所述突起焊盘的所述至少一个焊盘单元包括：不包括所述突起焊盘的所述焊盘单元中的邻近于所述衬底的至少一个焊盘单元和不包括所述突起焊盘的所述焊盘单元中的邻近于最上面的绝缘层的至少一个焊盘单元。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，包括突起焊盘的所述焊盘单元中的至少一个包括邻近于最上面的绝缘层的第一焊盘单元和邻近于所述衬底的第二焊盘单元，并且

其中，邻近于最上面的绝缘层的第一焊盘单元的突起焊盘的宽度大于邻近于衬底的第二焊盘单元的突起焊盘的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括所述接触区中的所述焊盘单元上的辅助绝缘层。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述辅助绝缘层接触所述基础焊盘的所述表面和所述焊盘单元的侧表面。

13.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述辅助绝缘层的最上表面和所述突起焊盘的最上表面彼此共面。

14.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述辅助绝缘层包括第一绝缘材料，并且所述多个绝缘层包括所述第一绝缘材料。

15.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括位于所述焊盘单元中的每一个上的对应的连接线接触插塞。

16.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括穿过所述单元阵列区中的所述堆叠结构的竖直图案结构。