[发明专利]相移式光掩模及其制作方法

权利要求书

1.一种相移式光掩模，用于一曝光制作工艺中转移一布局图(layout)，其特征在于，该相移式光掩模包括：

基板；以及

图案化相移层，设置于该基板上，该图案化相移层具有至少一元件图案开口(devicepattern aperture)与多个虚设图案开口(dummy pattern aperture)，该至少一元件图案开口与该多个虚设图案开口暴露出该基板表面，且该多个虚设图案开口环设于该至少一元件图案开口的周围，其中该图案化相移层具有一预定厚度，使得该曝光制作工艺中通过该图案化相移层的曝光光束与通过该元件图案开口或者虚设图案开口的曝光光束相位差为180度，并且该图案化相移层的光线穿透率为100％；

其中该至少一元件图案开口对应于该布局图的至少一元件图案，并且在该曝光制作工艺中转移至一目标基底上,

其中该曝光制作工艺中，通过该元件图案开口与该多个虚设图案开口的曝光光束的相位正负相同,在该曝光制作工艺中，通过该图案化相移层的曝光光束会与通过该元件图案开口的曝光光束、通过该多个虚设图案开口的曝光光束产生破坏性干涉，

其中该图案化相移层的材料包括混合有机硅氧烷聚合物、甲基硅倍半氧化物或氢硅倍半氧化物，

其中该至少一元件图案开口与该多个虚设图案开口之间的距离大于0微米，该多个虚设图案开口之间的距离小于或等于该多个虚设图案开口的尺寸，该多个虚设图案开口的尺寸小于或等于一光刻设备的分辨极限(resolution limit)。

2.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该多个虚设图案开口成阵列方式设置于该图案化相移层中。

3.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该图案化相移层的该预定厚度符合以下关系式：P＝2π*(n-1)*d/λ；其中P为相位角，n为该图案化相移层折射系数，d为该预定厚度，λ为该曝光制作工艺的曝光光束波长。

4.如权利要求1所述的相移式光掩模，其中该多个虚设图案开口不会在该曝光制作工艺中转移至该目标基底上。

5.一种相移式光掩模的制作方法，该相移式光掩模应用于经由一曝光制作工艺以转移一布局图，且该布局图包括至少一元件图案，其特征在于，该制作方法包括：

在一基板上形成具有一预定厚度的一相移层，在该基板上定义出至少一预定元件区域(predetermined device region)、多个虚设图案区域(dummy pattern region)与一背景区域(background region)，其中该至少一预定元件区域对应于该布局图的该至少一元件图案；

对该相移层进行一局部照射制作工艺，以一能量束(energy beam)照射该相移层，其中该能量束照射该背景区域而不照射该至少一预定元件区域与该多个虚设图案区域；以及

图案化该相移层，移除该至少一预定元件区域与该多个虚设图案区域内未被照射的部分该相移层，并保留该背景区域内被照射的部分该相移层，以于该相移层中形成至少一元件图案开口与多个虚设图案开口，其中该至少一元件图案开口与该多个虚设图案开口暴露出该基板表面，其中该曝光制作工艺中通过该背景区域的该相移层的曝光光束与通过该至少一元件图案开口或者通过该多个虚设图案开口的曝光光束相位差为180度，

其中该曝光制作工艺中，通过该至少一元件图案开口与该多个虚设图案开口的曝光光束的相位正负相同，

在该曝光制作工艺中，通过该背景区域的该相移层的曝光光束会与通过该至少一元件图案开口的曝光光束、通过该多个虚设图案开口的曝光光束产生破坏性干涉，

其中该相移层的材料包括混合有机硅氧烷聚合物、甲基硅倍半氧化物或氢硅倍半氧化物，

其中该至少一元件图案开口与该多个虚设图案开口之间的距离大于0微米，该多个虚设图案开口之间的距离小于或等于该多个虚设图案开口的尺寸，该多个虚设图案开口的尺寸小于或等于一光刻设备的分辨极限(resolution limit)。

6.如权利要求5所述的相移式光掩模的制作方法，其中该局部照射制作工艺为电子束照射制作工艺。