[发明专利]一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法

说明书

本发明提供了一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法。该方法将硅酸钇镥晶体切成片状毛坯料，先加工片状毛坯料的两个平行相对的大面，再将加工好的两个大面涂上保护漆，之后把涂了保护漆的片状毛坯料粘成长方体进行切割，再加工新的切割面，加工过的新的切割面上涂上保护漆，之后再把新切割的毛坯料粘成长方体对剩下的两个面进行加工。加工过程中各器件互相粘结，相互保护，加工好的抛光面和棱角不直接露在外面，减少了加工过程中的摩擦和磕碰，克服了酸钇镥晶体长方体器件在加工中表面光洁度容易被破坏、棱角容易产生崩边的问题，提高了酸钇镥晶体长方体器件的加工效率和产品合格率，降低了产品成本。

技术领域

本发明涉及硅酸钇镥晶体长方体器件的加工领域，尤其涉及一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法。

背景技术

硅酸钇镥晶体(LYSO)具有优良的闪烁性能，在多个领域具有广泛的应用。硅酸钇镥晶体器件对加工工艺要求较高，需要六面抛光，不能有破边也不能倒边。现有的硅酸钇镥长方体器件的加工方法是把硅酸钇镥晶体直接切成硅酸钇镥长方体器件毛坯，再逐一上盘加工六个面。这种加工方法使得已加工好的面和棱角暴露在外，容易导致暴露在外的已加工的硅酸钇镥长方体器件的表面光洁度被破坏、棱角产生崩边等问题，严重影响产品的合格率且加工效率低。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明提供了一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法。该方法将硅酸钇镥晶体切成片状毛坯料，先加工片状毛坯料的两个平行相对的大面，再将加工好的两个大面涂上保护漆，之后把涂了保护漆的片状毛坯料粘成长方体进行切割，再加工新的切割面，加工过的新的切割面上涂上保护漆，之后再把新切割的毛坯料粘成长方体对剩下的两个面进行加工。该酸钇镥晶体长方体器件的加工方法对酸钇镥晶体长方体器件毛坯料的各面进行逐面集中切割和逐面集中加工，并在逐面加工后即对已加工面进行保护。加工过程中各器件互相粘结，相互保护，加工好的抛光面和棱角不直接露在外面，减少了加工过程中的摩擦和磕碰，克服了酸钇镥晶体长方体器件在加工中表面光洁度容易被破坏、棱角容易产生崩边的问题，提高了加工效率和产品合格率，降低了产品成本。

本发明的技术方案如下：

一种硅酸钇镥晶体长方体器件的加工方法，包括步骤：

S1：通过切割硅酸钇镥晶体获得片状毛坯料A；

S2：通过加工片状毛坯料A的两个平行相对的切割面a获得片状毛坯料A1；

S3：通过在片状毛坯料A1的两个加工面上a1涂上保护材料获得片状毛坯料A2；

S4：通过用粘结材料P将m个片状毛坯料A2以加工面a1对应相贴的方式依次相粘结获得长方体毛坯料B，m为自然数且m≥2；

S5：通过沿垂直于加工面a1方向并以间隔相等的方式切割长方体毛坯料B获得n个片状毛坯料B1，n为自然数且n≥2；

S6：通过加工片状毛坯料B1的两个平行相对的切割面b获得片状毛坯料B2；

S7：通过在片状毛坯料B2的加工面上b1涂上保护材料获得片状毛坯料B3；

S8：通过用粘结材料Q将k个片状毛坯料B3以加工面b1对应相贴的方式依次相粘结获得长方体毛坯料B4，k为自然数且2≤k≤n；

S9：通过加工长方体毛坯料B4的两个未涂保护材料的面获得长方体毛坯料B5；

S10：通过清洗除去长方体毛坯料B5中的保护材料、粘结材料P和粘结材料Q获得m×k个硅酸钇镥晶体长方体器件，加工完毕。

优选的，步骤S2、S6、S9中的所述加工依次为上盘、研磨、抛光、下盘。

优选的，上盘过程中以熔点在50摄氏度以下的粘结蜡为粘结材料。

优选的，步骤S3、S7中的保护材料为保护漆。