[发明专利]叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜

说明书

本发明提供了一种叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜，其中，该制备方法包括：在衬底上沉积第一膜层；在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；在所述释力接触层上形成第二膜层；其中，第一膜层为金属层，第二膜层为半导体层，或者第一膜层为半导体层，第二膜层为金属层。本发明提供的叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜通过沉积一层释力接触层，使得金属层和半导体层之间的应力能够得到释放，避免了膜层的脱落，提高了生产质量。

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制造技术，尤其涉及一种叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜。

背景技术

在目前的光伏、平板显示等半导体器件制造领域，为了满足产品的多重需求，磁控溅射薄膜技术被广泛应用于获得具有特定功能的复杂器件制备中。因此，在实际工艺中需要将两层或多层不同材料、不同功能性的膜层进行叠层复合，其中，金属与半导体叠层薄膜的结构被广泛地用作前、背接触的电极结构。

金属与半导体材料在力学和电学性能方法存在显著差异，当它们以膜层的形式进行接触形成界面时，容易在界面处产生严重的物理性能失配的现象。现有技术中，在金属膜层成膜后，固有的应力态使得金属膜层和半导体膜层之间的界面存在应变，造成膜层相互脱落，影响生产质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜，以解决现有技术中的问题，提高金属膜层和半导体膜层之间的附着力，避免膜层脱落，提高生产质量。

本发明提供了一种叠层薄膜的制备方法，其中，包括：

在衬底上沉积第一膜层；

在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层；

在所述释力接触层上形成第二膜层，其中：所述第一膜层为金属层，所述第二膜层为半导体层，或者所述第一膜层为半导体层，所述第二膜层为金属层。

如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述在所述第一膜层上形成疏松多孔的释力接触层具体包括：

在所述第一膜层上沉积由单质构成的释力接触层；或通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层。

如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述由单质构成的释力接触层的材料包括：铜、银、铁、铝、钨、钼、铬、镍、钽、钒、钛或锰中的一种。

如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述通过化学反应形成由化合物构成的释力接触层具体包括：

加入氧族元素进行反应溅射，以得到外延结构的释力接触层。

如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述加入氧化物进行反应溅射具体包括：

通入氧或硫或硒的固体蒸汽。

如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，所述加入氧化物进行反应溅射具体包括：通入气态的氧或气态的硫或气态的硒。

如上所述的叠层薄膜的制备方法，其中，优选的是，沉积所述释力接触层的工作压强在0.5Pa-2Pa之间。

本发明还提供了一种叠层薄膜，其中，包括：金属层、释力接触层和半导体层；所述释力接触层设置在所述金属层和所述半导体层之间。

如上所述的叠层薄膜，其中，优选的是，所述释力接触层为微孔或介孔的多孔结构。

如上所述的叠层薄膜，其中，优选的是，所述释力接触层的厚度为10nm-1000nm。

本发明提供的叠层薄膜的制备方法和叠层薄膜通过沉积一层释力接触层，使得金属层和半导体层之间的应力能够得到释放，避免了膜层的脱落，提高了生产质量。

附图说明