[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途

权利要求书

1.一种增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，锗单晶片中包含掺杂剂元素硅和镓，硅的原子浓度为2×10¹⁴atoms/cc至8×10¹⁸atoms/cc，且镓的原子浓度为2×10¹⁶atoms/cc至9×10¹⁹atoms/cc。

2.根据权利要求1所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，硅的原子浓度为3×10¹⁴atoms/cc至7×10¹⁸atoms/cc；且镓的原子浓度为2×10¹⁶atoms/cc至8×10¹⁹atoms/cc。

3.根据权利要求1或2所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，硅的原子浓度与镓的原子浓度比例为1:10-20。

4.根据权利要求3所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，硅的原子浓度与镓的原子浓度比例为1:8-19。

5.根据权利要求4所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，硅的原子浓度与镓的原子浓度比例为1:6-18。

6.根据权利要求1或2所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，锗单晶片的厚度为100-700μm。

7.根据权利要求6所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，锗单晶片的厚度为100-500μm。

8.根据权利要求7所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，锗单晶片的厚度为100-200μm。

9.根据权利要求8所述的增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，锗单晶片的厚度为120-140μm。

10.一种制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片的方法，所述方法包括：

1)由包含元素硅和镓的锗单晶棒切割出锗单晶初始晶片，其中，

切割得到的锗单晶片初始晶片中硅的原子浓度为

2×10¹⁴atoms/cc至8×10¹⁸atoms/cc，且镓的原子浓度为

2×10¹⁶atoms/cc至9×10¹⁹atoms/cc，初始晶片的厚度为200-800μm；

2)对步骤1)得到的锗单晶初始晶片进行磨边处理；

3)对步骤2)中进行磨边处理之后的锗单晶初始晶片进行表面处理，和

4)对在步骤3)中表面处理之后的锗单晶初始晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，得到锗单晶片产品，其中，所得到的锗单晶片产品厚度为100-700μm。

11.根据权利要求10所述的制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片的方法，其中步骤1)中切割得到的锗单晶片初始晶片中硅的原子浓度为3×10¹⁴atoms/cc至7×10¹⁸atoms/cc；且镓的原子浓度为2×10¹⁶atoms/cc至8×10¹⁹atoms/cc。

12.根据权利要求10或11所述的制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片的方法，其中，硅的原子浓度与镓的原子浓度比例为1:10-20。

13.根据权利要求12所述的制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片的方法，其中，硅的原子浓度与镓的原子浓度比例为1:8-19。

14.根据权利要求13所述的制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片的方法，其中，硅的原子浓度与镓的原子浓度比例为1:6-18。