[发明专利]磁性片和电子装置有效

专利信息
申请号: 201711292161.2 申请日: 2017-12-08
公开(公告)号: CN108461249B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 赵中英;赵泰衍;赵诚男;崔畅学;景山 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01F7/00 分类号: H01F7/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王春芝;孙丽妍
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁性 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种磁性片,包括:

多于一个的磁性层,由金属带形成;以及

粘结层,设置在所述多于一个的磁性层中的相邻的磁性层之间,

其中,所述金属带包括碎片,且金属氧化物涂层或SiO2涂层形成在所述碎片之间的空间中,并且

所述粘结层为双面胶带。

2.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述金属氧化物涂层涂覆在所述碎片的表面上。

3.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述金属氧化物涂层包括原子层沉积层。

4.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述金属氧化物涂层包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、WO、Ga2O3、In2O3和ZrO2中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述金属带包括铁基合金。

6.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述碎片以随机的方式分布。

7.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述碎片包括彼此分开并规则地布置的裂纹部分。

8.根据权利要求7所述的磁性片,其中,所述裂纹部分具有所述金属带的表面破碎的形式。

9.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述多于一个的磁性层包括沿着预定方向堆叠的多个层。

10.根据权利要求1所述的磁性片,其中,所述金属带包括钴基合金。

11.根据权利要求5所述的磁性片,其中,所述合金还包括硅和硼,所述合金中的铁的组分在70原子百分比至90原子百分比之间,硅和硼的组分的总和在10原子百分比至30原子百分比之间。

12.根据权利要求11所述的磁性片,其中,所述合金还包括20原子百分比或更少的铬和钴中的任意一种或任意组合。

13.根据权利要求1所述的磁性片,所述磁性片还包括形成在所述多于一个的磁性层中的一个上的保护层,所述保护层包括绝缘树脂和聚对苯二甲酸乙二醇酯膜中的任意一种或任意组合。

14.根据权利要求13所述的磁性片,其中,所述保护层还包括设置为填料的传导性材料。

15.根据权利要求1所述的磁性片,所述磁性层还包括可去除地附着到所述多于一个的磁性层中的一个的基层,所述基层是聚对苯二甲酸乙二醇酯膜,并设置为双面胶带的形式。

16.一种电子装置,包括:

线圈构件;以及

磁性片,与所述线圈构件相邻地设置,并包括由金属带形成的多于一个的磁性层以及设置在所述多于一个的磁性层中的相邻的磁性层之间的粘结层,所述金属带包括碎片,且金属氧化物涂层或SiO2涂层形成在所述碎片之间的空间中,其中,所述粘结层为双面胶带。

17.根据权利要求16所述的电子装置,其中,所述金属氧化物涂层涂覆在所述碎片的表面上。

18.根据权利要求16所述的电子装置,其中,所述金属氧化物涂层包括原子层沉积层。

19.根据权利要求16所述的电子装置,其中,所述金属氧化物涂层包括Al2O3、TiO2、Ta2O5、WO、Ga2O3、In2O3和ZrO2中的任意一种。

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