[发明专利]一种硅片边缘抛光工艺有效
| 申请号： | 201711290241.4 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109894962B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 路一辰;王新;李俊峰;潘紫龙;王玥;李耀东;曲翔;史训达 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;C11D7/04;C11D7/18 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 边缘 抛光 工艺 | ||
1.一种硅片边缘抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)使用清洗机对硅片进行清洗处理；
(2)将清洗后的硅片进行机台对中处理；
(3)对硅片的圆边边缘进行抛光处理；
(4)将完成圆边边缘抛光的硅片进行参考面定位处理；
(5)对完成参考面位置确定的硅片进行参考面边缘抛光处理。
2.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，使用SC-1清洗液对硅片进行1次清洗，时间为6-10分钟，清洗温度为50-80℃，之后在纯水槽中进行QDR冲洗3次，最终使硅片边缘表面呈亲水性。
3.根据权利要求2所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，所述SC-1清洗液是由氨水、双氧水和纯水按(1-2)∶(1-2)∶(10-20)的质量比混合而成。
4.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(2)中，使用边缘抛光机对硅片进行对中，硅片圆心与机台圆心偏离范围在0.2mm以内。
5.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(3)中，所使用的抛光布硬度为60Aske-C，边缘抛光压力为80-120N，转速为500-900r/min，时间为50-90s。
6.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(4)中，硅片参考面与机台平行度在0.1mm以内。
7.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(5)中，所使用的抛光布硬度为60Aske-C，边缘抛光压力为10-30N，转速为1000-1300r/min，时间为50-90s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研半导体材料有限公司，未经有研半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711290241.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于金刚石表面抛光的步进装置
- 下一篇：一种扫光机
