[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201711289177.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108987571B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄宏麟;陈承先;古进誉;黄冠智;黄伟立 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
导电层；
第一介电层，设置在所述导电层之上；
磁性层，设置在所述第一介电层之上；以及
蚀刻终止堆叠，设置在所述磁性层与所述第一介电层之间，所述蚀刻终止堆叠包括多个钽层及多个氧化钽层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个钽层与所述多个氧化钽层交替地排列。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述蚀刻终止堆叠还包括位于所述第一介电层与所述多个钽层及所述多个氧化钽层之间的第二介电层。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述多个钽层中的一者接触所述第二介电层，且所述多个氧化钽层中的一者接触所述磁性层。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
导电层；
第一介电层，设置在所述导电层之上；
磁性层，设置在所述第一介电层之上；以及
蚀刻终止堆叠，设置在所述磁性层与所述第一介电层之间，所述蚀刻终止堆叠包括第二介电层及位于所述第二介电层与所述磁性层之间的多个单元层，且所述多个单元层中的每一单元层包括钽层及位于所述钽层上的氧化钽层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述磁性层包含磁性金属材料，所述磁性金属材料含有Co、Zr、Ta、Nb、Re、Nd、Pr、Dy、或其组合。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层包含氮化硅、碳化硅、掺杂有氮的碳化硅、氮氧化硅、掺杂有氧的碳化硅、氧化硅、氮化物-氧化物-氮化物、氧化物-氮化物-氧化物、或其组合。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述钽层与所述氧化钽层的厚度比率介于1:1到4:1范围内。
9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述多个单元层的总厚度介于100埃到600埃范围内。
10.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层的厚度介于1000埃到5000埃范围内。
11.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括第三介电层，所述第三介电层覆盖所述第一介电层、所述磁性层及所述蚀刻终止堆叠，其中所述第一介电层及所述第三介电层局部地暴露出所述导电层。
12.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述多个单元层的底表面与侧壁之间的夹角介于10度到60度范围内。
13.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层的底表面与侧壁之间的夹角介于20度到90度范围内。
14.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：
在导电层之上形成第一介电层；
在所述第一介电层之上形成蚀刻终止堆叠，且所述蚀刻终止堆叠包括多个钽层及多个氧化钽层；
在所述蚀刻终止堆叠之上形成磁性层；
在所述蚀刻终止堆叠覆盖所述第一介电层及所述导电层的同时，移除所述磁性层的一部分；以及
移除所述蚀刻终止堆叠的一部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述磁性层通过湿式蚀刻工艺被局部地移除。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述蚀刻终止堆叠通过干式蚀刻工艺被局部地移除。
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