[发明专利]半导体封装

说明书

本发明实施例提供一种半导体封装。所述半导体封装包括封装衬底、光子集成电路、激光管芯、电子集成电路、及第一重布线结构。所述封装衬底包括连接件。所述光子集成电路设置在所述封装衬底之上。所述激光管芯在光学上耦合到所述光子集成电路。所述电子集成电路设置在所述封装衬底之上。所述第一重布线结构设置在所述封装衬底之上，其中所述电子集成电路通过所述第一重布线结构电连接到所述光子集成电路。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体封装。

背景技术

光学信号可用于两个装置之间的高速且安全的数据传输。在一些应用中，能够进行光学数据传输的装置包括具有用于传输及/或接收光学信号的激光管芯(laser die)的至少一个集成电路(integrated circuit，IC)(或“芯片”)。此外，装置通常具有一个或多个其他光学组件或电组件、用于传输光学信号的波导(waveguide)、及例如印刷电路板(printed circuit board)的衬底等支撑件(support)，所述支撑件上安装有配备有激光管芯及所述一个或多个其他组件的芯片。已研究出用于在衬底上安装配备有激光管芯的芯片的各种方式。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体封装包括封装衬底、光子集成电路、激光管芯、电子集成电路、及第一重布线结构。所述封装衬底包括连接件。所述光子集成电路设置在所述封装衬底之上。所述激光管芯在光学上耦合到所述光子集成电路。所述电子集成电路设置在所述封装衬底之上。所述第一重布线结构设置在所述封装衬底之上，其中所述电子集成电路通过所述第一重布线结构电连接到所述光子集成电路。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本发明的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1D是根据本发明一些示例性实施例的光子集成电路(photonicintegrated circuit)(“PIC”)的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图2A到图2D是根据本发明一些示例性实施例的光子集成电路的制造方法中的各种阶段的示意性俯视图。

图3A到图3F是根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图4A到图4F是根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图5A到图5D是根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图6A到图6F是根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图7A到图7D是根据本发明一些示例性实施例的半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

图8A到图8F是根据本发明一些示例性实施例的在半导体封装的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列的具体实例以简化本发明。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说，以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。