[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成源极/漏极区；

在真空腔室中进行选择性沉积以在所述源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与所述源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层，其中，所述选择性沉积使用金属卤化物和氢气作为工艺气体进行；

选择性地蚀刻所述真空腔室中的所述金属层，其中，所述选择性地蚀刻使用金属卤化物和氢气作为工艺气体进行；以及

在所述金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层，其中，在所述真空腔室中进行选择性地形成所述金属氮化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性沉积和选择性蚀刻所述金属层被原位进行而其间未破真空。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地蚀刻所述金属层和选择性地形成所述金属氮化物层被原位进行而在其间未破真空。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用相同的工艺气体同时形成所述金属硅化物层和所述金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述金属氮化物层包括氮化所述金属硅化物层的表面层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用包含TiCl₄的工艺气体进行所述选择性沉积。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用包含TiCl₄的工艺气体进行所述选择性蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在400℃和500℃之间的升高的温度下进行所述选择性沉积。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体鳍的第一部分上方形成伪栅极堆叠件；

在所述半导体鳍的第二部分上外延生长半导体材料；

形成覆盖所述半导体材料的第一接触蚀刻停止层和第一层间电介质；

用栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件；

去除所述第一接触蚀刻停止层和所述第一层间电介质；

在真空腔室中同时地形成金属层和金属硅化物层，其中，在所述半导体材料上形成所述金属硅化物层，其中，形成所述金属层和所述金属硅化物层通过使用金属卤化物和氢气作为工艺气体的选择性沉积进行；

在未破真空的情况下去除所述金属层，其中，去除所述金属层通过使用金属卤化物和氢气作为工艺气体的选择性地蚀刻进行；

在未破真空的情况下在所述金属硅化物层上形成金属氮化硅层；

形成覆盖所述金属氮化硅层的第二接触蚀刻停止层(CESL)；以及

在所述第二接触蚀刻停止层上方形成第二层间电介质。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，用所述栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件包括：

去除所述半导体鳍的所述第一部分上方的伪栅极堆叠件，其中，在由所述伪栅极堆叠件剩下的凹槽中形成所述栅极堆叠件。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，使用包含TiCl₄的工艺气体进行同时形成所述金属层和所述金属硅化物层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，使用包含TiCl₄的附加的工艺气体进行去除所述金属层。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括：

蚀刻所述第二接触蚀刻停止层和所述第二层间电介质以形成接触开口；以及

用接触插塞填充所述接触开口。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属层和所述金属硅化物层分别包括钛层和钛硅化物层。