[发明专利]单晶硅片刻蚀抛光方法在审
| 申请号： | 201711286807.6 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108054093A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 余永健;李静;刘露露;衣玉林;穆林森;王冲;王超 | 申请（专利权）人： | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 刻蚀 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶硅片刻蚀抛光方法，其特征在于，该方法包括刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗以及烘干工序，其中，该碱洗工序包括抛光工序和喷淋工序，于一碱槽内进行，该碱槽内设有：
抛光部，包括若干滚轮，硅片经过该抛光部时，该若干滚轮对该硅片的下表面进行抛光；
喷淋部，包括若干喷淋头，该硅片经过该喷淋部时，该若干喷淋头喷淋常温碱液对该硅片的上表面进行处理。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片刻蚀抛光方法，其特征在于：该抛光部内储存碱溶液，调整该碱溶液的液位，控制该滚轮抛光该硅片时，该碱溶液单面接触该硅片的下表面。
3.根据权利要求2所述的单晶硅片刻蚀抛光方法，其特征在于：该碱溶液的温度为30-70℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
