[发明专利]一种用于电子显示器的micro LED总成

权利要求书

1.一种用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，包括：

有垒晶层的第一基板、第二基板；

每个第一基板的垒晶层包括P层、N层及发光层，每个第一基板的垒晶层蚀刻成5个微型P-N芯片结构，成十字排列，按顺时针方向分别为A\B\C\D中间为E，A\B的N与E的P相邻，C\D的N相邻于E的边，与E的P不相邻，5个微型P-N芯片结构之间暴露的侧边覆盖有绝缘层，第一基板表面设置有多层独立的金属反射层；

第一基板通过粘合层固定于第二基板表面，第二基板表面无第一基板的空白间隙处涂覆有绝缘反光层。

2.根据权利要求1所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述的第二基板上设置有印刷电路，通过粘合层固定于第二基板的第一基板的微型P-N芯片结构直接与第二基板建立电气连接。

3.根据权利要求2所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述第二基板表面无第一基板的空白间隙处设置有与第一基板的微型P-N芯片结构直接建立电气连接的电气连接点，所述的绝缘反光层涂覆于电气连接点以外的空白间隙部位，电气连接为引线缝合方式的连接，并用透光树脂覆盖。

4.根据权利要求1所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述的金属反射层为3-5层，每层金属反射层为二氧化锑和二氧化硅膜以ABAB的方式交替排列组成的周期结构。

5.根据权利要求4所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述每层中二氧化锑和二氧化硅膜厚度分别为42.27nm，71.52nm，3-5层独立的金属反射层，其总厚度≤2.5um。

6.根据权利要求1所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述的第二基板上的第一基板工作状态下发三中光色，分别为红色、蓝色、绿色，每个第一基板工作状态下仅发一种色光。

7.根据权利要求6所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述第二基板上每三个第一基板为一组对应一个像素，每组第一基板包括X\Y\Z三个第一基板，X\Y\Z三个第一基板工作状态下发不同颜色的光色，分别红色、蓝色、绿色三种色光中的一种，每组第一基板对应三个子像素，分别为第一子像素、第二子像素、第三子像素。

8.根据权利要求7所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述每个像素中第一子像素对应的第一基板X与第二子像素对应的第一基板Y平列排列，左右相距一个P-N芯片结构的距离，第三子像素对应的第一基板Z，设置于第一基板X右上角、第一基板Y左上角，第一基板Z在第一基板X与第一基板Y连线的中线上，第一基板Z与第一基板X、第一基板Y上下错开三个P-N芯片结构的距离。

9.根据权利要求7所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述的第二基板上每组第一基板中第一基板X、第一基板Y、第一基板Z连线构成等腰三角形，每组第一基板中各基板的排列均按X\Y\Z逆时针方向排列。

10.根据权利要求7所述的用于电子显示器的micro LED总成，其特征在于，其中所述一组第一基板与其左右两边的组，在位置上上下错开两个P-N芯片结构距离，中间组第一基板的第一基板Z，与左右两边相邻的组的第一基板X、第一基板Y在一条直线上，中间组第一基板的第一基板X、第一基板Y与左右两边相邻的组下面一组的第一基板Z在一条直线上；在位置上左右重叠一个P-N芯片结构，中间组第一基板左右最边上的P-N芯片结构与左边组最右边的P-N芯片结构，与右边组最左边的P-N芯片结构在一条直线上。