[发明专利]一种基于阳极氧化铝模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法

权利要求书

1.一种基于阳极氧化铝模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法，包括下列步骤：

(1)准备铜片和多孔阳极氧化铝模板。

(2)工作电极的制备：将适量的武德合金加热熔化后，在紫铜片上涂覆均匀，然后将多孔阳极氧化铝模板覆于武德合金上表面；利用环氧树脂胶涂覆紫铜片背面及侧面，保证钴离子只能在多孔阳极氧化铝模板孔洞中沉积；取一根导线，一端连接紫铜片背面，另一端连接电极夹，制得工作电极；

(3)涂覆光刻胶：在多孔阳极氧化铝模板上表面涂覆适量光刻胶，将所述工作电极置于匀胶机中，使其均匀涂覆光刻胶；

(4)曝光与显影：利用紫外光透过掩膜版照射已经涂覆光刻胶的工作电极，照射过的光刻胶发生光化学反应，性质发生变化，被光刻版挡住的部分，未发生任何变化，通过显影将图形留在多孔阳极氧化铝模板上；

(5)配制酸性电解液：电解液包括：CoSO4 7H2O与H3BO3，摩尔浓度范围分别为0.60-0.66M/L和0.62-0.68M/L，并将pH值调节到2.5-3.5；

(6)多孔阳极氧化铝模板的孔洞润湿：将工作电极置于电解液中，使所述电解液中的钴离子进入多孔阳极氧化铝模板孔洞之中；

(7)钴纳米线及钴基底的制备：将铂片对电极和工作电极置于电解液中，两电极连接至电源，通过监测沉积电流的变化情况得知钴纳米线的沉积情况，当钴纳米线已经溢出多孔阳极氧化铝模板孔洞开始沉积时停止沉积；

(8)洗除光刻胶：利用丙酮洗除未曝光的光刻胶，之后用去离子水清洗工作电极；

(9)洗除阳极氧化铝模板：利用200mL 0.2M/L氢氧化钠溶液和200mL去离子水依次洗除阳极氧化铝模板，即可得到图形化的纳米线阵列。