[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S10，提供绝缘材料制备的基板，所述绝缘材料用于在拉力的作用下伸长，和/或用于在压力的作用下收缩；

步骤S20，在所述基板表面制备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层及设置在所述有源层上的栅极绝缘层，采用导电材料制备的源极、漏极和栅极，以及第二绝缘层，所述栅极设置在所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层设置在所述基板上，且所述第二绝缘层覆盖所述栅极绝缘层及所述源极和所述漏极；所述导电材料用于在拉力的作用下伸长，和/或用于在压力的作用下收缩，其中，所述导电材料为可拉伸导电复合材料，且所述第二绝缘层的材料与所述基板的材料相同；

步骤S30，在所述基板表面制备平坦化层；

步骤S40，在所述平坦化层表面制备遮光层图案，并使用所述遮光层图案对所述阵列基板进行固化区域和可拉伸区域的定义，所述固化区域至少覆盖所述薄膜晶体管的所述有源层，所述固化区域之外的区域定义为所述可拉伸区域，光照所述固化区域使所述固化区域对应的所述绝缘材料制备的所述基板和所述第二绝缘层固化。

2.根据权利要求1所述阵列基板制备方法，其特征在于，在所述基板表面制备薄膜晶体管的步骤具体包括：

步骤S201，在所述基板表面制备第一图案化层，所述第一图案化层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；

步骤S202，在所述源极和所述漏极之间制备有源层，并使所述有源层的两端对应搭接在所述源极和所述漏极表面；

步骤S203，在所述基板表面制备栅绝缘层，并使所述栅绝缘层覆盖所述有源层、以及部分所述源极和所述漏极；

步骤S204，在所述基板表面制备第二绝缘层，所述第二绝缘层与所述基板采用相同材料制备；

步骤S205，在所述第二绝缘层表面制备栅极，并使所述栅极的部分区域对应于所述有源层上方。

3.根据权利要求2所述阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤S201，具体包括：

使用油墨印刷的方式，在所述基板表面直接沉积所述源极和所述漏极的图案层；或者包括：

步骤S2011，在所述基板表面沉积电极材料层；

步骤S2012，在所述电极材料层表面制备光阻层；

步骤S2013，对所述光阻层进行光罩曝光处理，再对所述光阻层进行显影，之后对暴露区域的电极材料层进行刻蚀，得到所述源极和所述漏极。

4.根据权利要求2所述阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤S201还包括：

在所述基板表面制备数据线，并将所述数据线与所述源极相连；所述数据线与所述源极采用相同材料制备。

5.根据权利要求2所述阵列基板制备方法，其特征在于，

所述步骤S205还包括：

在所述第二绝缘层表面制备扫描线，并将所述扫描线与所述栅极相连；所述扫描线与所述栅极采用相同材料制备。

6.根据权利要求1～5任一项权利要求所述的阵列基板制备方法，其特征在于，制备所述源极、所述漏极、所述栅极、数据线以及扫描线的材料，均采用掺杂了碳纳米管的柔性聚合物材料。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板，采用绝缘材料制备，所述绝缘材料用于在拉力的作用下伸长，和/或用于在压力的作用下收缩；

薄膜晶体管，制备于所述基板表面；所述薄膜晶体管包括有源层及设置在所述有源层上的栅极绝缘层，采用导电材料制备的源极、漏极和栅极，以及第二绝缘层，所述栅极设置在所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层设置在所述基板上，且所述第二绝缘层覆盖所述栅极绝缘层及所述源极和所述漏极；所述导电材料为可拉伸导电复合材料，且所述第二绝缘层的材料与所述基板的材料相同，所述导电材料用于在拉力的作用下伸长，和/或用于在压力的作用下收缩；

所述阵列基板定义有固化区域和可拉伸区域；

其中，所述固化区域至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层，所述固化区域之外的区域定义为所述可拉伸区域，所述固化区域内对应的所述阵列基板在外力作用下不可拉长或收缩，所述可拉伸区域对应的所述阵列基板在力的作用下可拉长或收缩。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

数据线，连接所述薄膜晶体管的源极；

扫描线，连接所述薄膜晶体管的栅极；其中，

所述数据线和所述扫描线，以及所述源极、所述漏极和所述栅极均采用掺杂了碳纳米管的柔性聚合物可拉伸导电复合材料制备。