[发明专利]一种非易失三维存储器的控制电路在审
申请号: | 201711281993.4 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108039188A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 刘飞;霍宗亮;杨诗洋;王颀;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非易失 三维 存储器 控制电路 | ||
1.一种非易失三维存储器的控制电路,其特征在于,所述控制电路包括:电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路;
其中,所述电压生成电路用于为所述三维存储器字线提供电压;
所述充电电路用于为所述三维存储器字线进行充电;
所述放电电路用于为所述三维存储器字线进行放电;
所述电平检测电路用于检测所述三维存储器中的字线电压是否偏离字线目标输出电压,当所述三维存储器中的字线电压低于所述字线目标输出电压时,所述三维存储器字线通过所述充电电路进行充电,当所述三维存储器中的字线电压高于所述字线目标输出电压时,所述三维存储器字线通过所述放电电路进行放电。
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括:
可控制目标电压生成电路,所述可控制目标电压生成电路与所述电压生成电路的输入端连接,用于产生所述三维存储器的字线目标输出电压。
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,所述电压生成电路包括:运算放大器、P型场效应管、第一电阻以及第二电阻;
其中,所述运算放大器的反向输入端与所述可控制目标电压生成电路的输入端连接,所述运算放大器的正向输入端与所述第二电阻的一端连接,所述运算放大器的输出端与所述P型场效应管的栅极连接,所述P型场效应管的源极与电压输出端连接,所述P型场效应管的漏极分别与所述第二电阻的另一端以及所述三维存储器的字线电压输入端连接,所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端接地连接。
4.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述第一电阻为可变电阻。
5.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述电压生成电路还包括:第三电阻;
其中,所述第三电阻的一端与所述第二电阻的一端连接,所述第三电阻的另一端分别与所述运算放大器的正向输入端以及所述第一电阻的一端连接。
6.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述电平检测电路包括:电压比较器;
其中,所述电压比较器的正向输入端与所述第二电阻的一端连接,所述电压比较器的反向输入端与所述可控制目标电压生成电路的输出端连接,所述电压比较器的输出端与所述放电电路连接。
7.根据权利要求5所述的控制电路,其特征在于,所述电平检测电路包括:电压比较器;
其中,所述电压比较器的正向输入端与所述第三电阻的一端连接,所述电压比较器的反向输入端与所述可控制目标电压生成电路的输出端连接,所述电压比较器的输出端与所述放电电路连接。
8.根据权利要求6或7所述的控制电路,其特征在于,所述放电电路包括:可调电流源;
其中,所述可调电流源的一端与所述电压比较器的输出端连接,所述可调电流源的另一端与所述P型场效应管的漏极连接。
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