[发明专利]RAMO4

说明书

本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO₄基板。本发明提供一种RAMO₄基板，其包含含有通式RAMO₄表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO₄单晶基板，所述RAMO₄单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。

技术领域

本发明涉及RAMO₄基板、以及使用该RAMO₄基板的III族氮化物结晶的制造方法。

背景技术

作为包含通式RAMO₄表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A 表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO₄基板之一，已知 ScAlMgO₄基板。ScAlMgO₄基板被用作GaN等氮化物半导体的生长基板等(例如参照专利文献1)。图1是示出专利文献1记载的现有ScAlMgO₄基板的制造方法的例子。如图1所示那样，现有的ScAlMgO₄基板通过进行准备ScAlMgO₄块体材料的工序和劈开ScAlMgO₄块体材料的工序来制造。

在此，作为用于制造III族氮化物结晶的种基板而使用 RAMO₄基板时，使III族氮化物在RAMO₄基板的外延生长面上进行结晶生长。并且，在制作III族氮化物结晶后，利用RAMO₄基板的劈开性，将III族氮化物结晶与RAMO₄基板进行分离。由此能够得到III族氮化物结晶单体。所得III族氮化物结晶被用于 LED、激光器等发光设备、电源用等功率器件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-178448号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，如现有的RAMO₄基板那样地仅利用基板的劈开性时，难以将RAMO₄基板与III族氮化物结晶充分分离。因此，所制作的III族氮化物结晶产生损伤，难以得到品质良好的III族氮化物结晶。因而，要求能够得到品质良好的III族氮化物结晶的RAMO₄基板等。本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO₄基板。

用于解决问题的方法

为了实现上述目的，本发明提供一种RAMO₄基板，其包含含有通式RAMO₄表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、 Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由 Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO₄单晶基板，上述RAMO₄单晶基板在主面具备多个槽，上述主面相对于上述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于上述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将上述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。

发明效果

根据本发明，能够提供品质更良好的RAMO₄基板。